ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1
ADVANCE INFORMATION
| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電源引腳電壓 | PVDD | -0.3 | 40 | V |
| 電源瞬態(tài)電壓斜坡 | PVDD | 2 | V/μs | |
| 數(shù)字邏輯電源電壓斜坡 | DVDD | 2 | V/μs | |
| 接地引腳之間的電壓差 | GND、PGND | -0.3 | 0.3 | V |
| 電荷泵引腳電壓 | VCP | -0.3 | PVDD + 15 | V |
| 數(shù)字穩(wěn)壓器引腳電壓 | DVDD | -0.3 | 5.75 | V |
| 邏輯引腳電壓 | PWM1、PWM2、nSLEEP、SCLK、SDO、SDI、nSCS | -0.3 | 5.75 | V |
| 輸出邏輯引腳電壓 | SDO | -0.3 | VDVDD + 0.3 | V |
| 輸出引腳電壓 | OUT1-OUT12、ECDRV、ECFB | -0.3 | 40 | V |
| 輸出電流 | OUT1-OUT12、ECDRV、ECFB | 受內(nèi)部限制 | 受內(nèi)部限制 | A |
| 加熱器和電致變色 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)引腳電壓 | GH_HS、ECDRV | VHEAT – 0.3 至 VHEAT + 13 | VVCP + 0.3 | V |
| 加熱器和電致變色 MOSFET 源極引腳電壓 | SH_HS、ECFB | -0.3 | VPVDD + 0.3 | V |
| 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器和加熱器 MOSFET 源極引腳最大能量耗散，TJ = 25°C，LLOAD < 100μH | OUT7-OUT12、SH_HS | - | 1 | mJ |
| 環(huán)境溫度，TA | -40 | 125 | °C | |
| 結(jié)溫，TJ | -40 | 150 | °C | |
| 貯存溫度，Tstg | -65 | 150 | °C | |