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ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1

ADVANCE INFORMATION

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHA|40
- MPQF135D

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

zhcsy02_oa

7.4.1.2.2 加熱器 MOSFET V_DS 過(guò)流保護(hù) (HEAT_VDS)

如果加熱器驅(qū)動(dòng)器 V_DS 過(guò)流比較器上的電壓高于 V_{DS_LVL_HEAT} 的時(shí)間超過(guò) t_{DS_HEAT_DG} 時(shí)間，則會(huì)檢測(cè)到加熱器過(guò)流條件。電壓閾值和抗尖峰脈沖時(shí)間可通過(guò) EC_CNFG 和 HEAT_CNFG 寄存器設(shè)置進(jìn)行調(diào)整。

表 7-5 加熱器 VDS 電平

HEAT_VDS_LVL	VDS 電壓電平
0000b	0.06V
0001b	0.08V
0010b	0.10V
0011b	0.12V
0100b	0.14V
0101b	0.16V
0110b	0.18V
0111b	0.2V
1000b	0.24V
1001b	0.28V
1010b	0.32V
1011b	0.36V
1100b	0.4V
1101b	0.44V
1110b	0.56V
1111b	1V

表 7-6 加熱器 VDS 抗尖峰脈沖時(shí)間

HEAT_VDS_DG	時(shí)間
00b	1μs
01b	2μs
10b	4μs
11b	8μs

還有一個(gè)加熱器 MOSFET V_DS 監(jiān)控消隱周期，在寄存器 HEAT_CNFG 的 HEAT_VDS_BLK 位中進(jìn)行配置。共有四個(gè)消隱時(shí)間選項(xiàng)：

表 7-7 加熱器 VDS 消隱時(shí)間

HEAT_VDS_BLK	時(shí)間
00b	4μs
01b	8μs
10b	16μs
11b	32μs

加熱器過(guò)流監(jiān)控器可以在通過(guò) HEAT_VDS_MODE 寄存器設(shè)置進(jìn)行設(shè)定的四種不同模式下進(jìn)行響應(yīng)和恢復(fù)。

鎖存故障模式：檢測(cè)到過(guò)流事件后，將使能柵極驅(qū)動(dòng)器下拉，并將 HEAT_VDS 置位。過(guò)流事件消失后，仍會(huì)鎖存故障狀態(tài)，直到發(fā)出 CLR_FLT。
逐周期模式：檢測(cè)到過(guò)流事件后，將使能柵極驅(qū)動(dòng)器下拉，并將 HEAT_VDS、EC_HEAT 和 FAULT 位置位。IC_STAT1 寄存器中的 EC_HEAT 和 FAULT 狀態(tài)位將保持置位狀態(tài)，直到驅(qū)動(dòng)器控制輸入發(fā)生變化（SPI 或 PWM）。要清除 HEAT_VDS 位，必須在輸入發(fā)生變化后發(fā)送 CLR_FLT 命令。如果在輸入發(fā)生變化之前發(fā)出 CLR_FLT，則所有三個(gè)狀態(tài)位都將保持置位狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)器下拉保持使能狀態(tài)。
僅警告報(bào)告模式：在 WARN 和 HEAT_VDS 位中報(bào)告加熱器過(guò)流事件。器件不會(huì)執(zhí)行任何操作。在發(fā)出 CLR_FLT 之前，警告將保持鎖存狀態(tài)。
禁用模式：加熱器 V_DS 過(guò)流監(jiān)控器被禁用，不會(huì)響應(yīng)或報(bào)告。

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7.4.1.2.2 加熱器 MOSFET V_DS 過(guò)流保護(hù) (HEAT_VDS)