5 引腳配置和功能

圖 5-1 RHA 封裝，40 引腳 VQFN（俯視圖）

表 5-1 引腳功能

引腳		I/O⁽¹⁾	類型	說明
編號	名稱		類型	說明
1	OUT4	O	電源	400mΩ 半橋輸出 4。
2	NC	－	－	無連接。
3	NC	－	－	無連接。
4	PVDD	I	電源	器件驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個(gè) 0.1μF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器和大于或等于 10μF 的局部大容量電容。
5	VCP	I/O	電源	電荷泵輸出。在 VCP 和 PVDD 引腳之間連接一個(gè) 1μF、16V 陶瓷電容器。
6	PVDD	I	電源	器件驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個(gè) 0.1μF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器和大于或等于 10μF 的局部大容量電容。
7	OUT5	O	電源	130mΩ 半橋輸出 5 的第一個(gè)引腳。
8	PGND	I/O	接地	器件接地。連接到系統(tǒng)地。
9	OUT1	O	電源	1.5Ω 半橋輸出 1。
10	OUT2	O	電源	1.5Ω 半橋輸出 2。
11	PWM2	I	數(shù)字	用于對除電鉻之外所有驅(qū)動器進(jìn)行調(diào)節(jié)的 PWM 輸入 2。
12	PWM1	I	數(shù)字	用于半橋調(diào)節(jié)的 PWM 輸入 1。
13	nSCS	I	數(shù)字	串行芯片選擇。此引腳上的邏輯低電平支持串行接口通信。內(nèi)部上拉電阻。
14	SDI	I	數(shù)字	串行數(shù)據(jù)輸入。在 SCLK 引腳的下降沿捕捉數(shù)據(jù)。內(nèi)部下拉電阻。
15	SDO	O	數(shù)字	串行數(shù)據(jù)輸出。在 SCLK 引腳的上升沿移出數(shù)據(jù)。推挽式輸出。
16	SCLK	I	數(shù)字	串行時(shí)鐘輸入。串行數(shù)據(jù)會移出并在此引腳上的相應(yīng)上升沿和下降沿被捕捉。內(nèi)部下拉電阻。
17	IPROPI	I/O	模擬	檢測輸出從任何驅(qū)動器負(fù)載電流反饋、PVDD 電壓反饋或熱儀表組溫度反饋進(jìn)行多路復(fù)用。也可針對半橋驅(qū)動器配置為第二個(gè) PWM 引腳輸入。
18	nSLEEP	I	模擬	器件使能引腳。置為邏輯低電平可關(guān)斷器件并進(jìn)入睡眠模式。內(nèi)部下拉電阻。
19	NC	－	－	無連接。
20	NC	－	－	無連接。
21	DVDD	I	電源	器件邏輯和數(shù)字輸出電源輸入。建議在 DVDD 和 GND 引腳之間連接一個(gè) 1.0μF、6.3V 的陶瓷電容器。
22	NC	－	－	無連接。
23	DGND	I/O	接地	器件接地。連接到系統(tǒng)地。
24	ECFB	I/O	電源	對于 EC 控制，引腳用作電壓監(jiān)控輸入和快速放電低側(cè)開關(guān)。如果不使用 EC 驅(qū)動功能，則通過 10kΩ 電阻器將此引腳連接到 GND。
25	ECDRV	O	模擬	對于 EC 控制，引腳控制外部 MOSFET 的柵極以進(jìn)行 EC 電壓調(diào)節(jié)
26	SH_HS	I	模擬	高側(cè)加熱器 MOSFET 的源極引腳和加熱器負(fù)載的輸出。連接到高側(cè) MOSFET 的源極。
27	GH_HS	O	模擬	加熱器 MOSFET 的柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè) MOSFET 的柵極。
28	NC	－	－	無連接。
29	NC	－	－	無連接。
30	NC	－	－	無連接。
31	OUT12	O	電源	1.5Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 12。連接到低側(cè)負(fù)載。
32	OUT11	O	電源	1.5Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 11?？膳渲脼?EC 驅(qū)動器的 SC 保護(hù)開關(guān)。連接到低側(cè)負(fù)載。
33	OUT10	O	電源	1.5Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 10。連接到低側(cè)負(fù)載。
34	OUT9	O	電源	1.5Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 9。連接到低側(cè)負(fù)載。
35	OUT8	O	電源	1.5Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 8。連接到低側(cè)負(fù)載。
36	OUT7	O	電源	具有可配置的 R_DSON (400mΩ/1500mΩ) 的高側(cè)驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)負(fù)載。
37	PVDD	I	電源	器件驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個(gè) 0.1μF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器和大于或等于 10μF 的局部大容量電容。
38	OUT6	O	電源	160mΩ 半橋輸出 6。
39	PGND	I/O	接地	器件接地。連接到系統(tǒng)地。
40	OUT3	O	電源	400mΩ 半橋輸出 3。

(1) I = 輸入，O = 輸出