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ZHCSRF9A December 2022 – October 2023 DRV8461

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDW|44
- MPDS309B
PWP|28
- MPDS373B

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDW|44
- PPTD374
PWP|28
- PPTD376

訂購信息

6.5 電氣特性

典型值都是在 T_A = 25°C 且 V_VM = 24V 條件下的值。除非另有說明，否則所有限值都是在推薦工作條件下的限值。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓（VM、DVDD）
I_VM	VM 工作電源電流	ENABLE = 1，nSLEEP = 1，無電機負載，VCC = 外部 5V		5	7.5	mA
I_VM	VM 工作電源電流	ENABLE = 1，nSLEEP = 1，無電機負載，VCC = DVDD		8	11	mA
I_VMQ	VM 睡眠模式電源電流	nSLEEP = 0		2.5	5	μA
t_SLEEP	睡眠時間	nSLEEP = 0 至睡眠模式	120			μs
t_RESET	nSLEEP 復(fù)位脈沖	nSLEEP 低電平至清除故障	20		40	μs
t_WAKE	喚醒時間	H/W 接口，nSLEEP = 1 至輸出轉(zhuǎn)換		0.85	1.2	ms
t_WAKE	喚醒時間	SPI 接口，nSLEEP = 1 至 SPI 就緒		0.15	0.25	ms
t_ON	開通時間^¹	VM > UVLO 至輸出轉(zhuǎn)換		0.9	1.3	ms
V_DVDD	內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓	無外部負載，6V < V_VM < 65V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓	無外部負載，V_VM = 4.5V	4.2	4.42		V
電荷泵（VCP、CPH、CPL）
V_VCP	VCP 工作電壓	6 V < V_VM < 65V		V_VM + 5		V
f _VCP	電荷泵開關(guān)頻率	V_VM > UVLO；nSLEEP = 1		357		kHz
f_CLK	內(nèi)部數(shù)字時鐘頻率	V_VM > UVLO；nSLEEP = 1		10		MHz
邏輯電平輸入（STEP、DIR、MODE、DECAY1、nSCS、SCLK、SDI、nSLEEP）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓		0		0.6	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓（除 DECAY1 外的所有引腳）		1.5		5.5	V
V_{IH_DECAY1}	輸入邏輯高電平電壓（DECAY1 引腳）		2.7		5.5	V
V_HYS	輸入邏輯遲滯（除 nSLEEP 以外的所有引腳）			100		mV
V_{HYS_SLEEP}	nSLEEP 邏輯遲滯			300		mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流（除 nSCS 外的所有引腳）	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_{IL_nSCS}	nSCS 邏輯低電平電流	nSCS = 0V	8		12	μA
I_IH	輸入邏輯高電平電流（除 nSCS 外的所有引腳，200k 內(nèi)部下拉電阻）	V_IN = DVDD			50	μA
I_{IH_nSCS}	nSCS 邏輯高電平電流	nSCS = DVDD			0.15	μA
三電平輸入（M0、DECAY0、ENABLE）
V_{I1_tri}	輸入邏輯低電平電壓	連接至 GND	0		0.6	V
V_{I2_tri}	輸入高阻抗電壓	高阻態(tài)	1.8	2	2.2	V
V_{I3_tri}	輸入邏輯高電平電壓	連接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_{O_tri}	輸出上拉電流			10.5		μA
四電平輸入（M1、TOFF）
V_{I1_quad}	輸入邏輯低電平電壓	連接至 GND	0		0.6	V
V_{I2_quad}	輸入二級電壓	330k? ± 5% 至 GND	1	1.25	1.4	V
V_{I3_quad}	輸入高阻抗電壓	高阻態(tài)	1.8	2	2.2	V
V_{I4_quad}	輸入邏輯高電平電壓	連接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_{O_quad}	輸出上拉電流			10.5		μA
推挽式輸出 (SDO)
R_PD，SDO	內(nèi)部下拉電阻	5mA 負載，以 GND 為基準(zhǔn)		30	60	Ω
R_PU，SDO	內(nèi)部上拉電阻	5mA 負載，以 VCC 為基準(zhǔn)		60	110	Ω
I_SDO	SDO 漏電流^¹	V_VM > 6V，SDO = VCC 和 0V	-2.5		2.5	μA
控制輸出（nFAULT，nHOME）
V_OL	輸出邏輯低電平電壓	I_O = 5mA			0.35	V
I_OH	輸出邏輯高電平漏電流		-1		1	μA
電機驅(qū)動器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
R_DS(ONH)	高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻	T_J = 25°C、I_O = -3A		153	180	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = -3A		225	285	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = -3A		255	325	mΩ
R_DS(ONL)	低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻	T_J = 25°C、I_O = 3A		150	185	m?
		T_J = 125°C、I_O = 3A		225	300	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = 3A		255	340	m?
I_LEAK	禁用模式下輸出到接地的漏電流^¹	H 橋處于高阻態(tài)，V_VM = 65V			200	μA
t_RF	輸出上升/下降時間	H/W 接口，I_O = 3A，介于 10% 和 90% 之間		140		ns
		SPI 接口，SR = 0b，I_O = 3A，介于 10% 和 90% 之間		140
		SPI 接口，SR = 1b，I_O = 3A，介于 10% 和 90% 之間		70
t_D	輸出死區(qū)時間	VM = 24V，I_O = 3A		300		ns
PWM 電流控制 (VREF)
K_V	跨阻增益	VREF = 3.3V	1.064	1.12	1.176	V/A
I_VREF	VREF 引腳漏電流	VREF = 3.3V			40	nA
t_OFF	PWM 關(guān)斷時間	TOFF = 0 或 TOFF = 00b		9.5		μs
		TOFF = 1 或 TOFF = 01b		19
		TOFF = 高阻態(tài)或 TOFF = 10b		27
		TOFF = 330kΩ 至 GND 或 TOFF = 11b		35
ΔI_{TRIP_EXT}	電流跳變精度，外部 VREF 輸入	10% 至 20% 滿量程電流	-10		10	%
ΔI_{TRIP_EXT}	電流跳變精度，外部 VREF 輸入	20% 至 100% 滿量程電流	-6		6	%
ΔI_{TRIP_INT}	電流跳變精度，內(nèi)部 VREF	10% 至 20% 滿量程電流	-10		10	%
ΔI_{TRIP_INT}	電流跳變精度，內(nèi)部 VREF	20% 至 100% 滿量程電流	-7		7	%
I_O,CH	AOUT 和 BOUT 電流匹配	100% 滿量程電流	-3		3	%
t_BLK	電流調(diào)節(jié)消隱時間	SPI 接口，TBLANK_TIME = 00b		1		μs
		H/W 接口或 SPI 接口，TBLANK_TIME = 01b		1.5
		SPI 接口，TBLANK_TIME = 10b		2
		SPI 接口，TBLANK_TIME = 11b		2.5
t_DEG	電流調(diào)節(jié)抗尖峰脈沖時間			0.5		μs
保護電路
VM_UVLO	VM UVLO 鎖定	VM 下降	4.1	4.25	4.36	V
VM_UVLO	VM UVLO 鎖定	VM 上升	4.2	4.37	4.47	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 鎖定	VCC 連接到外部電壓，VCC 下降	2.7	2.8	2.9	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 鎖定	VCC 連接到外部電壓，VCC 上升	2.78	2.9	3.05	V
V_UVLO,HYS	欠壓遲滯	上升至下降閾值		100		mV
V_RST	VM UVLO 復(fù)位	VCC = DVDD，SPI 接口，VM 下降，器件復(fù)位，無 SPI 通信			3.4	V
V_CPUV	電荷泵欠壓	VCP 下降		V_VM + 2		V
I_OCP	過流保護	流經(jīng)任何 FET 的電流	4.8			A
t_OCP	過流檢測延遲	H/W 接口		2.2		μs
		SPI 接口，TOCP = 0b		1.2
		SPI 接口，TOCP = 1b		2.2
t_RETRY	過流重試時間			4.1		ms
t_OL	開路負載檢測時間	H/W 接口			60	ms
		SPI 接口，OL_T = 00b			30
		SPI 接口，OL_T = 01b			60
		SPI 接口，OL_T = 10b			120
I_OL	開路負載電流閾值			110		mA
T_OTW	過熱警告	SPI 接口，內(nèi)核溫度 T_J	135	150	165	°C
T_{HYS_OTW}	過熱警告遲滯	SPI 接口，內(nèi)核溫度 T_J		20		°C
T_OTSD	熱關(guān)斷	內(nèi)核溫度 T_J	150	165	180	°C
T_{HYS_OTSD}	熱關(guān)斷遲滯	內(nèi)核溫度 T_J		20		°C

(1)

受設(shè)計保證