ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
傳播延遲定義為更改輸入邏輯邊沿 INHx 和 INLx(如果增加 MCU 死區(qū)時間,則以先發(fā)生的更改為準)至更改半橋輸出電壓 (OUTx) 所花的時間。驅(qū)動器傳播延遲 (tPD) 和死區(qū)時間 (tdead) 指定為典型值和最大值,而不是最小值。這是因為在同步開關期間,傳播延遲可能小于典型值,具體取決于 OUTx 引腳上的電流方向。驅(qū)動器傳播延遲和死區(qū)時間可能大于典型值,原因是高側(cè)或低側(cè)內(nèi)部 MOSFET 的內(nèi)部導通較慢,以避免內(nèi)部 dV/dt 耦合。
有關輸入 PWM 和輸出配置的傳播延遲和死區(qū)時間有何不同的更多信息和示例,請訪問集成 MOSFET 驅(qū)動器中的延遲和死區(qū)時間。
除了 DRV8311-Q1 內(nèi)部擊穿保護外,微控制器 PWM 輸出的死區(qū)時間可用作額外的預防措施。DRV8311-Q1 使用內(nèi)部邏輯,根據(jù) MCU 死區(qū)時間或驅(qū)動器死區(qū)時間的持續(xù)時間來決定優(yōu)先順序。
如果 MCU 死區(qū)時間小于 DRV8311-Q1 驅(qū)動器死區(qū)時間,驅(qū)動器將進行補償并確保真正的輸出死區(qū)時間符合 DRV8311-Q1 指定的值。如果 MCU 插入的死區(qū)時間大于驅(qū)動器死區(qū)時間,則 DRV8311-Q1 將根據(jù) MCU 死區(qū)時間調(diào)整時序。
表 9-2 中列出了與同步輸入 INHx 和 INLx、OUTx 電流方向以及 MCU 死區(qū)時間相關的 DRV8311-Q1 延遲時間匯總。
| OUTx 電流方向 | INHx | INLx | 傳播延遲時間 (tPD) | 死區(qū)時間 (tdead) | 插入的 MCU 死區(qū)時間 (tdead(MCU)) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| tdead(MCU) < tdead | tdead(MCU) > tdead | |||||
| 從 OUTx 輸出 | 上升 | 下降 | 典型值 | 典型值 | 輸出死區(qū)時間 = tdead | 輸出死區(qū)時間 = tdead(MCU) |
| 下降 | 上升 | 小于典型值 | 小于典型值 | 輸出死區(qū)時間 < tdead | 輸出死區(qū)時間 < tdead(MCU) | |
| 輸入 OUTx | 上升 | 下降 | 小于典型值 | 小于典型值 | 輸出死區(qū)時間 < tdead | 輸出死區(qū)時間 < tdead(MCU) |
| 下降 | 上升 | 典型值 | 典型值 | 輸出死區(qū)時間 = tdead | 輸出死區(qū)時間 = tdead(MCU) | |