ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
DRV8311-Q1 器件包含以三相橋配置連接的集成式 NMOS MOSFET。倍增電荷泵可在寬工作電壓范圍內(nèi)為高側(cè) NMOS MOSFET 提供適合的柵極偏置電壓,此外還提供 100% 占空比支持。內(nèi)部線性穩(wěn)壓器由 VM 供電,為低側(cè) MOSFET 提供柵極偏置電壓 (VLS)。