ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
對 MOSFET 實施可調(diào)柵極驅(qū)動電流控制,可以輕松控制轉(zhuǎn)換率。MOSFET VDS 轉(zhuǎn)換率是優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復尖峰的能量和持續(xù)時間以及與寄生效應相關的開關電壓瞬態(tài)的關鍵因素。這些壓擺率主要由內(nèi)部 MOSFET 的柵極電荷的速率決定,如圖 7-18 所示。
在硬件型號中,每個半橋的轉(zhuǎn)換率可以通過 SLEW 引腳進行調(diào)整,在 SPI 器件型號中則使用 SLEW 寄存器位進行調(diào)整。轉(zhuǎn)換率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出,如圖 7-19 所示。
圖 7-19 壓擺率時序