ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
如果芯片溫度超過(guò)熱警告的觸發(fā)點(diǎn) (TOTW),則會(huì)設(shè)置器件狀態(tài) (DEV_STS1) 寄存器中的 OT 位和 OT_STS 狀態(tài)寄存器中的 OTW 位。可以通過(guò)設(shè)置配置控制寄存器中的過(guò)熱警告報(bào)告 (OTW_EN) 位來(lái)啟用 nFAULT 引腳上的 OTW 報(bào)告。器件不會(huì)執(zhí)行任何其他操作,并且會(huì)繼續(xù)運(yùn)行。在這種情況下,當(dāng)芯片溫度降至低于熱警告的磁滯點(diǎn) (TOTW_HYS) 時(shí),nFAULT 引腳會(huì)釋放,OTW 位會(huì)被清零。OT 位保持鎖存狀態(tài),直到通過(guò) CLR_FLT 位或 nSLEEP 復(fù)位脈沖 (tRST) 將其清零且芯片溫度低于熱警告觸發(fā)點(diǎn) (TOTW)。
在硬件器件型號(hào)上,默認(rèn)情況下不會(huì)在 nFAULT 引腳上報(bào)告過(guò)熱警告。