ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
功率耗散
DRV8311-Q1 中的功率損耗包括待機(jī)功率損耗、LDO 功率損耗、FET 導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗以及二極管損耗。FET 導(dǎo)通損耗在 DRV8311-Q1 的總功率耗散中占主導(dǎo)地位。在啟動(dòng)和故障情況下，輸出電流遠(yuǎn)大于正常電流；務(wù)必將這些峰值電流及持續(xù)時(shí)間考慮在內(nèi)?？偲骷纳⑹侨齻€(gè)半橋中每個(gè)半橋耗散的總功率。器件可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。請(qǐng)注意，RDS,ON 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發(fā)熱，功率耗散也會(huì)增大。在設(shè)計(jì) PCB 和散熱時(shí)，應(yīng)考慮這一點(diǎn)。
表 9-3 列出了梯形控制和場(chǎng)定向控制的每個(gè)損耗計(jì)算公式的摘要。
| 損耗類(lèi)型 | 梯形控制 | 場(chǎng)定向控制 |
|---|---|---|
| 待機(jī)功耗 | Pstandby = VVM x IVM_TA | |
| LDO（來(lái)自 VM） | PLDO = (VVIN_AVDD - VAVDD) x IAVDD | |
| FET 導(dǎo)通 | PCON = 2 x (IPK(trap))2 x RDS,ON(TA) | PCON = 3 x (IRMS(FOC))2 x RDS,ON(TA) |
| FET 開(kāi)關(guān) | PSW = IPK(trap) x VPK(trap) x trise/fall x fPWM | PSW = 3 x IRMS(FOC) x VPK(FOC) x trise/fall x fPWM |
| 二極管（死區(qū)時(shí)間） | Pdiode = 2 x IPK(trap) x VF(diode) x tDEAD x fPWM | Pdiode = 6 x IRMS(FOC) x VF(diode) x tDEAD x fPWM |
結(jié)溫估算
要根據(jù)功率損耗計(jì)算芯片的結(jié)溫，請(qǐng)使用方程式 17。請(qǐng)注意，熱阻 RθJA 取決于 PCB 配置，例如環(huán)境溫度、PCB 層數(shù)、覆銅厚度以及 PCB 尺寸。
請(qǐng)參閱 BLDC 集成 MOSFET 熱計(jì)算器估算不同用例中的近似器件功率耗散和結(jié)溫。