ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
DRV8311-Q1 為集成式 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，適用于 3 相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。高側(cè)和低側(cè) FET 的導(dǎo)通狀態(tài)電阻和為 210mΩ（典型值）。該器件通過集成三個(gè)半橋 MOSFET、柵極驅(qū)動(dòng)器、電荷泵、電流檢測(cè)放大器以及用于外部負(fù)載的線性穩(wěn)壓器，降低了系統(tǒng)元件數(shù)量、成本和復(fù)雜性。對(duì)于 DRV8311S-Q1，標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口 (SPI) 提供了一種簡(jiǎn)單的方法，可通過外部控制器配置各種器件設(shè)置和讀取故障診斷信息。對(duì)于 DRV8311H-Q1，硬件接口 (H/W) 允許通過固定外部電阻器來配置常用的設(shè)置。對(duì)于 DRV8311P-Q1，德州儀器 (TI) SPI (tSPI) 能夠配置各種器件設(shè)置并調(diào)整 PWM 占空比和頻率，以一次控制多個(gè)電機(jī)。
該架構(gòu)使用內(nèi)部狀態(tài)機(jī)來防止發(fā)生短路事件，并防止內(nèi)部功率 MOSFET 發(fā)生 dV/dt 寄生導(dǎo)通。
DRV8311-Q1 器件集成了三個(gè)雙向低側(cè)電流分流放大器，旨在使用內(nèi)置電流檢測(cè)來監(jiān)測(cè)流過每個(gè)半橋的電流，不需要外部電流感應(yīng)電阻器?？赏ㄟ^ SPI、tSPI 或硬件接口調(diào)整分流放大器的增益設(shè)置。
除了高度的器件集成之外，DRV8311-Q1 器件還提供廣泛的集成保護(hù)功能。這些功能包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)、過流保護(hù) (OCP)、AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV) 和過熱關(guān)斷（OTW 和 OTSD）。故障事件由 nFAULT 引腳指示，可在 SPI 和 tSPI 器件版本的寄存器中獲得詳細(xì)信息。
DRV8311-Q1 器件采用 0.4mm 引腳間距、WQFN 表面貼裝封裝。WQFN 封裝尺寸為 3.00mm × 3.00mm。