ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
在該模式下發(fā)生 OCP 事件后,所有 MOSFET 都被禁用,并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動至低電平。FAULT、OCP 和相應(yīng)的 FET OCP 位在 SPI 寄存器中被鎖存為高電平。OCP 條件清除并通過 CLR_FLT 位或 nSLEEP 復(fù)位脈沖 (tRST) 發(fā)出清除故障命令后,將再次開始正常運(yùn)行(驅(qū)動器運(yùn)行,F(xiàn)AULT、OCP 和相應(yīng) FET 的 OCP 位清零且釋放 nFAULT 引腳)。
圖 7-32 過流保護(hù) - 鎖存關(guān)斷模式