ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1
ADVANCE INFORMATION
電致變色驅(qū)動(dòng)器模塊具有多個(gè)針對(duì)充電和放電狀態(tài)的保護(hù)和檢測(cè)電路。這些電路包括基于比較器的檢測(cè)電路、在 EC 充電狀態(tài)期間激活的 OUT11 保護(hù)電路(當(dāng)采用 OUT11 供電配置時(shí))以及 ECFB 低側(cè)放電 MOSFET 上的保護(hù)電路。
EC 由 OUT11 供電:當(dāng)電子鉻驅(qū)動(dòng)器配置為由集成式高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 OUT11 供電時(shí),可提供與其他高側(cè)驅(qū)動(dòng)器相同的保護(hù)和診斷功能(例如:在過流檢測(cè)期間,控制環(huán)路會(huì)關(guān)閉)。當(dāng)電子鉻處于充電狀態(tài)(電壓斜升)時(shí),這些高側(cè)驅(qū)動(dòng)器保護(hù)被激活。當(dāng)處于 OUT11 EC 模式 (OUT11_EC_MODE = 1b) 時(shí),無法在 PWM 模式下控制 OUT11。
EC 充電期間 OUT11 上發(fā)生故障:如果在 EC_ON = 1b(使能 EC 控制)時(shí) OUT11 上發(fā)生過熱關(guān)斷故障(區(qū)域 3 或 4)或過流故障:
要在 OUT11 故障后重啟 EC 控制,控制器必須讀取并清除相應(yīng)的故障,并將所需的值寫入寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_V_TAR 位。
如果在 EC 充電期間檢測(cè)到 OUT11 上存在開路負(fù)載,則寄存器 HS_STAT 中的 OUT11_OLA 位置位。
放電過流保護(hù):如果放電期間流入 ECFB 引腳 LS MOSFET 的負(fù)載電流超過過流閾值 IOC_ECFB 的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于 tDG_OC_ECFB,則 LS MOSFET 為 Hi-Z(鎖存)或根據(jù) OUT7 ITRIP 設(shè)置進(jìn)入固定頻率調(diào)節(jié)模式。過流狀態(tài)位 ECFB_OC 置位,且 EC_HEAT 置位。過流故障響應(yīng)可通過寄存器 EC_CNFG 中的 EC_FLT_MODE 位進(jìn)行配置。ITRIP 設(shè)置與 OUT7 ITRIP 設(shè)置共享。
| EC_FLT_MODE | 故障響應(yīng) |
|---|---|
| 0b | 鎖存 (Hi-Z) |
| 1b | ITRIP(OUT7 設(shè)置) |
檢測(cè)到放電開路負(fù)載:在對(duì) EC 放電時(shí),還可以檢測(cè)到開路負(fù)載。寄存器 EC_CNFG 中的 EC_OLEN 位必須置位。如果 ECFB 上的負(fù)載電流低于 IOL_ECFB_LS 的持續(xù)時(shí)間超過 tDG_OL_ECFB_LS,則開路負(fù)載狀態(tài)位 ECFB_OL 會(huì)置位,且寄存器 IC_STAT1 中的 WARN 位會(huì)置位。
對(duì)于 EC 直接由 PVDD 供電的配置,當(dāng) EC 調(diào)節(jié)激活時(shí),可使用三個(gè)基于比較器的檢測(cè)電路來代替 OUT11 保護(hù)和檢測(cè)電路。其中包括:
EC 直接由 PVDD 供電:當(dāng) EC 模塊直接由 PVDD 供電時(shí),可通過寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_OV_MODE、 ECFB_UV_MODE 和 ECDRV_OL_EN 位獨(dú)立使能電池短路、接地短路和開路負(fù)載檢測(cè)電路。如果需要額外的診斷,無論 EC 電源配置如何,都可以使能這些檢測(cè)電路。但是,如果不需要這些電路,TI 建議禁用寄存器中的電路。
電池短路/OV 檢測(cè):當(dāng) ECFB 電壓超過 PVDD - 1V 或閾值 VECFB_OV 的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于抗尖峰脈沖時(shí)間 tECFB_OV_DG 時(shí),檢測(cè)到 ECFB 過壓或電池短路。ECFB_OV_MODE 位決定了驅(qū)動(dòng)器 ECFB 過壓故障響應(yīng)。EC 過壓抗尖峰脈沖時(shí)間通過寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_OV_DG 位進(jìn)行配置。
對(duì)于過壓故障響應(yīng)控制,可在寄存器 EC_CNFG 中配置 ECFB_OV_MODE 位。如果 ECFB_OV_MODE = 00b,則在該故障期間不會(huì)執(zhí)行任何操作。對(duì)于 ECFB_OV_MODE = 10b,當(dāng) ECFB 電壓超過 ECFB_OV 的時(shí)間長(zhǎng)于編程的抗尖峰脈沖時(shí)間 tECFB_OV_DG 時(shí)、則 EC_HEAT_ITRIP_STAT 寄存器中 ECFB_OV 位會(huì)置位,且寄存器 IC_STAT1 中的 EC_HEAT 故障位會(huì)置位。對(duì)于 ECFB_OV_MODE = 10b,當(dāng) ECFB 上發(fā)生 OV 時(shí),ECDRV 引腳會(huì)被下拉,并且 ECFB LS FET 為 Hi-Z。故障在與 ECFB_OV_MODE = 01b 時(shí)相同的寄存器中報(bào)告。下表匯總了故障響應(yīng)和位值:
| ECFB_OV_MODE | 故障響應(yīng) |
|---|---|
| 00b | 無操作 |
| 01b | 在寄存器中報(bào)告故障 |
| 10b | 將 ECDRV 和 ECFB LS FET 下拉,在寄存器中報(bào)告故障 |
| ECFB_OV_DG | 抗尖峰脈沖時(shí)間 |
|---|---|
| 00b | 20μs |
| 01b | 50μs |
| 10b | 100μs |
| 11b | 200μs |
接地短路/UV 檢測(cè):當(dāng)檢測(cè)到 ECFB 電壓低于編程的閾值 VECFB_UV_TH 的持續(xù)時(shí)間超過編程的抗尖峰脈沖時(shí)間 tECFB_UV_DG 時(shí),會(huì)檢測(cè)到 ECFB 欠壓或?qū)Φ囟搪?。寄存?EC_CNFG 中的 ECFB_UV_TH 和 ECFB_UV_DG 位置位。
| ECFB_UV_TH | 欠壓閾值 |
|---|---|
| 0b | 100mV |
| 1b | 200mV |
對(duì)于欠壓故障響應(yīng)控制,可以在寄存器 EC_CNFG 中配置 ECFB_UV_MODE 位。如果 ECFB_UV_MODE = 00b,則當(dāng) ECFB 電壓降至低于 ECFB_UV 時(shí)不會(huì)執(zhí)行任何操作。對(duì)于 ECFB_UV_MODE = 10b,則 EC_HEAT_ITRIP_STAT 寄存器中的 ECFB_UV 位會(huì)置位,且 IC_STAT1 寄存器中的 EC_HEAT 故障位會(huì)置位。對(duì)于 ECFB_UV_MODE = 10b,當(dāng) ECFB 上發(fā)生 UV 時(shí),ECDRV 引腳會(huì)被下拉,并且 ECFB LS FET 為 Hi-Z。故障在與 ECFB_UV_MODE = 01b 時(shí)相同的寄存器中報(bào)告。下表匯總了故障響應(yīng)和位值:
| ECFB_UV_MODE | 故障響應(yīng) |
|---|---|
| 00b | 無操作 |
| 01b | 在寄存器中報(bào)告故障 |
| 10b | 將 ECDRV 和 ECFB LS FET 下拉,在寄存器中報(bào)告故障 |
| ECFB_UV_DG | 抗尖峰脈沖時(shí)間 |
|---|---|
| 00b | 20μs |
| 01b | 50μs |
| 10b | 100μs |
| 11b | 200μs |
PVDD 供電的 EC 開路負(fù)載檢測(cè):如果 EC 模塊未配置為使用 OUT11 供電,則可以使用寄存器 EC_CNFG 中的 ECDRV_OL_EN 位使能單獨(dú)的 EC 開路負(fù)載檢測(cè)電路。使能后,電流源會(huì)將小電流注入 ECFB 節(jié)點(diǎn),然后 ECFB 電壓將與開路負(fù)載閾值電壓進(jìn)行比較。如果超過開路負(fù)載閾值,則會(huì)檢測(cè)到開路負(fù)載條件,且 ECFB_OL 位會(huì)置位。下面的真值表顯示了開路負(fù)載和電池短路檢測(cè)狀態(tài)的可能值: