ZHCSXN1A December 2024 – May 2025 MCF8316D
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸出級
- 7.3.2 器件接口
- 7.3.3 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 7.3.4 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.5 電荷泵
- 7.3.6 壓擺率控制
- 7.3.7 跨導（死區(qū)時間）
- 7.3.8 電機控制輸入源
- 7.3.9 在不同初始條件下啟動電機
- 7.3.10 電機啟動順序 (MSS)
- 7.3.11 閉環(huán)運行
- 7.3.12 弱磁控制
- 7.3.13 電機參數(shù)
- 7.3.14 電機參數(shù)提取工具 (MPET)
- 7.3.15 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.16 主動制動
- 7.3.17 輸出 PWM 開關頻率
- 7.3.18 PWM 抖動
- 7.3.19 PWM 調(diào)制方案
- 7.3.20 死區(qū)時間補償
- 7.3.21 電機停止運轉(zhuǎn)選項
- 7.3.22 對齊制動
- 7.3.23 FG 配置
- 7.3.24
保護功能
- 7.3.24.1 VM 電源欠壓鎖定
- 7.3.24.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 7.3.24.3 降壓欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 7.3.24.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 7.3.24.5 過壓保護 (OVP)
- 7.3.24.6 過流保護 (OCP)
- 7.3.24.7 降壓過流保護
- 7.3.24.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.10 電機鎖定檢測
- 7.3.24.11 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.24.12 EEPROM 故障
- 7.3.24.13 I2C CRC 故障
- 7.3.24.14 最小 VM（欠壓）保護
- 7.3.24.15 最大 VM（過壓）保護
- 7.3.24.16 MPET 故障
- 7.3.24.17 IPD 故障
- 7.3.24.18 FET 熱警告 (OTW)
- 7.3.24.19 FET 熱關斷 (TSD_FET)
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 8 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 9 RAM（易失性）寄存器映射
- 10應用和實施
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購信息
7.3.6 壓擺率控制
為輸出級 MOSFET 提供可調(diào)柵極驅(qū)動電流控制，以實現(xiàn)可配置的壓擺率，從而降低 EMI。MOSFET VDS 壓擺率是優(yōu)化傳導發(fā)射和輻射發(fā)射、二極管恢復尖峰的總能量和持續(xù)時間以及與 PCB 寄生元件相關的開關電壓瞬態(tài)的關鍵因素。此壓擺率主要由內(nèi)部 MOSFET 柵極電流的控制決定，如圖 7-9 所示。
圖 7-9 壓擺率電路實現(xiàn)每個半橋的壓擺率可通過 SLEW_RATE 進行調(diào)節(jié)。壓擺率可配置為 125V/μs 或 200V/μs。壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出，如圖 7-10 所示。
圖 7-10 壓擺率時序