ZHCSXN1A December 2024 – May 2025 MCF8316D
PRODUCTION DATA
表 7-9 展示了 I2C 數(shù)據(jù)字格式。
| TARGET_ID | R/W | CONTROL WORD | DATA | CRC-8 | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A6 - A0 | W0 | CW23 - CW0 | D15/D31/D63 - D0 | C7 - C0 | |||||||||||||||||||
目標(biāo) ID 和 R/W 位：第一個字節(jié)包含 7 位 I2C 目標(biāo) ID，后跟讀取/寫入命令位。對于 MCF8316D 中的每個數(shù)據(jù)包，通信協(xié)議都以寫入 24 位控制字開始，因此 R/W 位始終為 0。
24 位控制字：目標(biāo)地址后跟一個 24 位控制位。表 7-10 展示了控制字格式。
| OP_R/W | CRC_EN | DLEN | MEM_SEC | MEM_PAGE | MEM_ADDR | |||||||||||||||||||
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| CW23 | CW22 | CW21 - CW20 | CW19 - CW16 | CW15 - CW12 | CW11 - CW0 | |||||||||||||||||||
下面詳細說明了控制字中的每個字段。
OP_R/W – 讀取/寫入：R/W 位提供有關(guān)這是讀取 (1b) 操作還是寫入 (0b) 操作的信息。對于寫入操作，MCF8316D 將預(yù)計在 24 位控制字之后發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)。對于讀取操作，MCF8316D 將預(yù)計在 24 位控制字之后具有包含重復(fù)啟動或正常啟動的 I2C 讀取請求。
CRC_EN – 啟用循環(huán)冗余校驗 (CRC)：MCF8316D 支持通過 CRC 來驗證數(shù)據(jù)完整性。該位控制是否啟用 CRC 功能。
DLEN – 數(shù)據(jù)長度：DLEN 字段決定外部 MCU 將發(fā)送至 MCF8316D 的數(shù)據(jù)的長度。MCF8316D 協(xié)議支持三種數(shù)據(jù)長度：16 位、32 位和 64 位。
| DLEN 值 | 數(shù)據(jù)長度 | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 00b | 16 位 | |||||||||||
| 01b | 32 位 | |||||||||||
| 10b | 64 位 | |||||||||||
| 11b | 保留 | |||||||||||
MEM_SEC – 存儲器段：MCF8316D 中的每個存儲器位置都使用控制字中的三個獨立實體進行尋址 – 存儲器段、存儲器頁、存儲器地址。存儲器段是一個 4 位字段，表示存儲器位置所屬的存儲器段，例如 RAM、ROM 等。
MEM_PAGE – 存儲器頁：存儲器頁是一個 4 位的字段，表示該存儲器位置所屬的存儲器頁。
MEM_ADDR – 存儲器地址：存儲器地址是地址的最后 12 位。完整的 22 位地址由 MCF8316D 使用全部三個字段（存儲器段、存儲器頁、存儲器地址）在內(nèi)部構(gòu)造。對于存儲器位置 0x000000-0x000800，存儲器部段為 0x0，存儲器頁為 0x0，存儲器地址為最低 12 位（0x000 代表 0x000000，0x080 代表 0x000080，0x800 代表 0x000800）。所有相關(guān)存儲器位置（EEPROM 和 RAM 變量）都有 MEM_SEC 和 MEM_PAGE 值，均對應(yīng)于 0x0。所有其他 MEM_SEC、MEM_PAGE 值均保留，不供外部使用。
數(shù)據(jù)字節(jié)：對于 MCF8316D 的寫操作，24 位控制字后跟數(shù)據(jù)字節(jié)。控制字中的 DLEN 字段應(yīng)與該段中發(fā)送的字節(jié)數(shù)相對應(yīng)。如果數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)與 DLEN 不匹配，則寫入操作將被丟棄。
CRC 字節(jié)：如果在控制字中啟用了 CRC 功能，則必須在寫入事務(wù)結(jié)束時發(fā)送 CRC 字節(jié)。有關(guān) CRC 字節(jié)計算的詳細信息，請參閱節(jié) 7.6.2.6。