ZHCSZ14 October 2025 MCF8316D-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輸出級
- 6.3.2 器件接口
- 6.3.3 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 6.3.4 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 6.3.5 電荷泵
- 6.3.6 壓擺率控制
- 6.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時間）
- 6.3.8 電機(jī)控制輸入源
- 6.3.9 在不同初始條件下啟動電機(jī)
- 6.3.10 電機(jī)啟動順序 (MSS)
- 6.3.11 閉環(huán)運(yùn)行
- 6.3.12 弱磁控制
- 6.3.13 電機(jī)參數(shù)
- 6.3.14 電機(jī)參數(shù)提取工具 (MPET)
- 6.3.15 防電壓浪涌 (AVS)
- 6.3.16 主動制動
- 6.3.17 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 6.3.18 PWM 抖動
- 6.3.19 PWM 調(diào)制方案
- 6.3.20 死區(qū)時間補(bǔ)償
- 6.3.21 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 6.3.22 對齊制動
- 6.3.23 FG 配置
- 6.3.24
保護(hù)功能
- 6.3.24.1 VM 電源欠壓鎖定
- 6.3.24.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 6.3.24.3 降壓欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 6.3.24.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 6.3.24.5 過壓保護(hù) (OVP)
- 6.3.24.6 過流保護(hù) (OCP)
- 6.3.24.7 降壓過流保護(hù)
- 6.3.24.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 6.3.24.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 6.3.24.10 電機(jī)鎖定檢測
- 6.3.24.11 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 6.3.24.12 EEPROM 故障
- 6.3.24.13 I2C CRC 故障
- 6.3.24.14 最小 VM（欠壓）保護(hù)
- 6.3.24.15 最大 VM（過壓）保護(hù)
- 6.3.24.16 MPET 故障
- 6.3.24.17 IPD 故障
- 6.3.24.18 FET 熱警告 (OTW)
- 6.3.24.19 FET 熱關(guān)斷 (TSD_FET)
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 外部接口
- 6.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 8 RAM（易失性）寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購信息
6.3.21.2 再循環(huán)模式
可以通過將 MTR_STOP 設(shè)置為 001b 來配置再循環(huán)模式。為了防止電感能量在電機(jī)停止期間返回到直流輸入電源中，MCF8316D-Q1 允許電流在 MOSFET 內(nèi)循環(huán)，方法是有選擇地關(guān)斷一些處于工作（導(dǎo)通）狀態(tài)的 MOSFET 一段時間（自動計算再循環(huán)時間以允許電感電流衰減到零），然后通過關(guān)斷剩余的 MOSFET 來轉(zhuǎn)換至高阻態(tài)。
根據(jù)接收 STOP 命令時的相電壓模式，低側(cè)再循環(huán)（請參閱圖 6-54）或高側(cè)再循環(huán)（請參閱圖 6-55）將用于停止電機(jī)，而不會將電感能量發(fā)送回至直流輸入電源。
圖 6-54 低側(cè)再循環(huán)
圖 6-55 高側(cè)再循環(huán)注： 當(dāng)電機(jī)處于開環(huán)狀態(tài)或主動制動狀態(tài)，或在磁通減弱期間或超前角不為零時，再循環(huán)停止將不可用；在這種情況下，電機(jī)停止模式由 LOW_SPEED_RECIRC_BRAKE_EN 設(shè)置。