ZHCSZ14 October 2025 MCF8316D-Q1
PRODUCTION DATA
在半橋橋臂中高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的開關(guān)瞬間之間插入了死區(qū)時(shí)間,以避免發(fā)生擊穿情況。由于存在死區(qū)時(shí)間插入,相節(jié)點(diǎn)上的預(yù)期電壓與施加的電壓會(huì)因相電流方向而異。相節(jié)點(diǎn)電壓失真會(huì)在相電流中引入不必要的失真,進(jìn)而導(dǎo)致可聞噪聲。MCF8316D-Q1 集成了專有的死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償技術(shù),以消除這種相電流失真并大大降低可聞噪聲,從而顯著提高 MCF8316D-Q1 中 FOC 的聲學(xué)性能??梢酝ㄟ^配置 DEADTIME_COMP_EN 來(lái)啟用或禁用此死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償。即使 DEADTIME_COMP_EN 設(shè)置為 1b(啟用補(bǔ)償),也會(huì)在電機(jī)電氣頻率超過 108Hz 時(shí)禁用死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償,而在電機(jī)電氣頻率降至低于 102Hz 時(shí)重新啟用死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償。