ZHCU877B May 2021 – October 2023
受影響的 PCB 版本：E1、E2、E3
嚴重程度：高
在入門套件中，LDO0 提供 VDDAR_CORE（0.85V 內(nèi)核電壓域）。4.7uF 的負載點電容器過度保守，可降低為 1uF，使 LDO0 觀察到的總輸出電容更符合 CLDO_OUT 最高規(guī)格。
在入門套件中，由 LDO1 提供的 AM64x 1V8 模擬域和電容要求遠遠超出 LDO1 的 CLDO_OUT 最高規(guī)格，主要原因是 VDDA_1P8_SERDES0 上的負載點電容器較大，為 22uF。TI 采用多管齊下的方法解決這個問題，未來將公布電容器最終推薦值。首先，LP8733xx CLDO_OUT 最高規(guī)格過度保守，在數(shù)據(jù)表中將修改為更高的值。其次，進行了系統(tǒng)級仿真來評估 VDDA_1P8_SERDES0 上的實際去耦電容器要求。由于這項工作正在進行，TI 建議不要在生產(chǎn)系統(tǒng)中復制這種電源解決方案。
如果客戶需要集成 PMIC 解決方案，德州儀器 (TI) 目前正在開發(fā)一款可滿足 AM64x 處理器系列需求的 PMIC，并將在下一版本的 AM64x 入門套件中提供。