ZHCAEV0 December 2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1
5.2 寄生元件的影響
除了 DESAT 外部電路的參數(shù)值（電容、電阻、正向壓降等）外，還必須注意外部電路引入的寄生效應(yīng)及其影響。這里討論了可能影響 DESAT 檢測(cè)時(shí)間的兩個(gè)寄生元件：高壓二極管的結(jié)電容和 DESAT 節(jié)點(diǎn)上的寄生電容。
高壓二極管的結(jié)電容會(huì)影響 DESAT 檢測(cè)時(shí)間，因?yàn)樗鼤?huì)從漏極/集電極耦合 dV/dt，從而導(dǎo)致電流流動(dòng)。當(dāng)漏極/集電極上存在負(fù) dV/dt 時(shí)，會(huì)從 DESAT 引腳拉出電流；當(dāng)漏極/集電極上存在正 dV/dt 時(shí)，則電流會(huì)注入 DESAT 引腳。這種電流電話(huà)可能增加或減少 DESAT 檢測(cè)時(shí)間。圖 5-3 展示了較大的高壓二極管結(jié)電容如何導(dǎo)致 DESAT 引腳電壓驟降更明顯，從而延長(zhǎng)消隱電容器的充電時(shí)間。
圖 5-3 結(jié)電容仿真結(jié)果DESAT 節(jié)點(diǎn)上的額外寄生電容也會(huì)影響 DESAT 檢測(cè)時(shí)間。這些寄生電容可能來(lái)自 DESAT 上的鉗位二極管（肖特基二極管和/或齊納二極管）或 PCB 布線(xiàn)電容。鉗位二極管的結(jié)電容通常約為 5pF，而 PCB 布線(xiàn)寄生電容因系統(tǒng)而異，通常在 5pF 至 20pF 范圍內(nèi)。計(jì)算 DESAT 消隱電容器充電時(shí)間時(shí)，請(qǐng)考慮額外的電容值。