ZHCAEV0 December 2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1
| SiC | IGBT |
|---|---|
| SC 電流在柵極導(dǎo)通后約 66ns 開始增加 （因?yàn)?SiC 具有較低的柵極閾值和較低的柵極電容） |
SC 電流在柵極導(dǎo)通后約 350ns 開始增加 （因?yàn)?IGBT 具有更高的柵極閾值和更高的柵極電容） |
| 峰值電流 6.87kA（在約 1.5μs 延遲下） | 峰值電流 2.565kA（在約 1.7μs 延遲下） |
| 非常適合在 < 1μs 的時(shí)間內(nèi)檢測和啟動?xùn)艠O關(guān)斷 | 非常適合在 < 2μs 的時(shí)間內(nèi)檢測和啟動?xùn)艠O關(guān)斷 |
| 需要更快的關(guān)斷速度，但要在過沖和關(guān)斷時(shí)間之間保持平衡 |
由于 IGBT 能夠承受 SC 電流的時(shí)間更長，因此應(yīng)優(yōu)先減少過沖 |