ZHCAEV0 December 2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1
這里使用不同的檢測方法執(zhí)行了四種不同的 SC 測試。9V DESAT 閾值柵極驅動器 UCC21750-Q1 用于在沒有外部充電電流和有外部充電電流的情況下捕獲 SC 數據。此外,0.7V OC 閾值柵極驅動器 UCC21710-Q1 和 UCC21732-Q1 用于捕獲 STO 和 2LTO 兩種不同關斷方式下的 SC 數據。
圖 7-7 案例 1 和案例 2 SiC SC 事件屏幕截圖如圖 7-7 所示,在默認充電電流為 0.5mA 的情況下,與外部充電電路相比,檢測時間、峰值 SC 電流、關斷能量和關斷時間都很大,以實現更快的檢測。
圖 7-8 Case3 和 Case4 SiC SC 事件屏幕截圖如圖 7-8 所示,“OC 作為 DESAT”峰值電流和檢測時間(案例 3 和 4)與具有外部充電電流的“DESAT”檢測時間(案例 2)相當。
在關斷能量方面,案例 3 400mA STO 性能與案例 2 相匹配,但案例 4 的 2LTO 性能表現出更高的關斷能量和更長的關斷時間,因為柵極電壓會在 9V 附近保持約 1μs,并且峰值電流沒有降低,保持不變。這是因為 9V 閾值的柵極保持電壓會使 SiC 模塊保持導通,并且峰值電流沒有降低。如果電源模塊的“導通閾值”略低于 9V,則會降低 SC 電流,并且 2LTO 僅在這種情況下有效。
上述四種情況也適用于 IGBT 電源模塊。
圖 7-9 案例 1 和案例 2 IGBT SC 事件屏幕截圖
圖 7-10 案例 3 和案例 4 IGBT SC 事件屏幕截圖就 DESAT/OC 電路行為而言,IGBT 的性能與 SiC 電源模塊相當。
但是,與 SiC 相比,在 IGBT 模塊中觀察到的總峰值電流要低得多。因此,IGBT 模塊的關斷能量和關斷時間都要低得多。