主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

UCC21756-Q1

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具有主動(dòng)保護(hù)和隔離式感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Integrated analog to PWM sensor, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Integrated analog to PWM sensor, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 0：-40°C 至 +150°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
  • 功能安全質(zhì)量管理型
  • 高達(dá) 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間和 5V 閾值的 DESAT 保護(hù)
  • 4A 內(nèi)部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時(shí)的 900mA 軟關(guān)斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管進(jìn)行溫度感應(yīng)
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過(guò)流警報(bào) FLT 和通過(guò) RST/EN 重置
  • 針對(duì) RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達(dá) 5V 過(guò)沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 >8mm
  • 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 0：-40°C 至 +150°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
  • 功能安全質(zhì)量管理型
  • 高達(dá) 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間和 5V 閾值的 DESAT 保護(hù)
  • 4A 內(nèi)部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時(shí)的 900mA 軟關(guān)斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管進(jìn)行溫度感應(yīng)
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過(guò)流警報(bào) FLT 和通過(guò) RST/EN 重置
  • 針對(duì) RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達(dá) 5V 過(guò)沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 >8mm
  • 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C

UCC21756-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá) 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。 UCC21756-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過(guò) SiO 2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過(guò) 40 年，并提供較低的器件間偏移 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21756-Q1 包括先進(jìn)的保護(hù)特性，如快速過(guò)流和短路檢測(cè)、故障報(bào)告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為和穩(wěn)健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進(jìn)行溫度或電壓檢測(cè)，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并較少系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

UCC21756-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá) 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。 UCC21756-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過(guò) SiO 2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過(guò) 40 年，并提供較低的器件間偏移 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21756-Q1 包括先進(jìn)的保護(hù)特性，如快速過(guò)流和短路檢測(cè)、故障報(bào)告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為和穩(wěn)健性）。可以利用隔離式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進(jìn)行溫度或電壓檢測(cè)，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并較少系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。
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* 數(shù)據(jù)表 UCC21756-Q1 適用于 SiC/IGBT 并具有主動(dòng)保護(hù)、隔離式模擬感應(yīng)和高 CMTI 的汽車類 10A 拉電流/灌電流增強(qiáng)型隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 最新英語(yǔ)版本 (Rev.A) PDF | HTML 2021年 8月 3日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
應(yīng)用手冊(cè) 為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)方法 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2025年 1月 8日
應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) 我的設(shè)計(jì)是否需要米勒鉗位？ PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2025年 1月 6日
應(yīng)用手冊(cè) 驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)（DESAT）應(yīng)用指導(dǎo) 2024年 1月 3日

設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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評(píng)估板

UCC21750QDWEVM-025 — 適用于 SiC 和 IGBT 晶體管和電源模塊的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)評(píng)估板

UCC21750QDWEVM-025 是一個(gè)緊湊的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，可提供采用 150mm x 62mm x 17mm 和 106mm x 62mm x 30mm 封裝的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 電源模塊所需的驅(qū)動(dòng)電壓、偏置電壓，以及基于去飽和功能的保護(hù)和診斷。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增強(qiáng)型隔離驅(qū)動(dòng)器 UCC21750 為基礎(chǔ)，后者采用 SOIC-16DW 封裝，具有 8.0mm 爬電距離和間隙。該 EVM 包含基于 SN6505B 的隔離式直流/直流變壓器偏置電源。
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù)，您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開(kāi)發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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