ZHCSGW7 October 2017 UCC256304
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 技術(shù)規(guī)格
-
7 詳細(xì) 說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能框圖
- 7.3 特性 說明
- 7.4 器件功能模式
-
8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)流程
- 8.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具創(chuàng)建定制設(shè)計(jì)
- 8.2.2.2 LLC 功率級(jí)要求
- 8.2.2.3 LLC 增益范圍
- 8.2.2.4 選擇 Ln 和 Qe
- 8.2.2.5 確定等效負(fù)載電阻
- 8.2.2.6 確定 LLC 諧振電路的組件參數(shù)
- 8.2.2.7 LLC 初級(jí)側(cè)電流
- 8.2.2.8 LLC 次級(jí)側(cè)電流
- 8.2.2.9 LLC 變壓器
- 8.2.2.10 LLC 諧振電感器
- 8.2.2.11 LLC 諧振電容器
- 8.2.2.12 LLC 初級(jí)側(cè) MOSFET
- 8.2.2.13 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
- 8.2.2.14 LLC 整流器二極管
- 8.2.2.15 LLC 輸出電容器
- 8.2.2.16 HV 引腳串聯(lián)電阻器
- 8.2.2.17 BLK 引腳分壓器
- 8.2.2.18 BW 引腳分壓器
- 8.2.2.19 ISNS 引腳微分器
- 8.2.2.20 VCR 引腳電容分壓器
- 8.2.2.21 突發(fā)模式編程
- 8.2.2.22 軟啟動(dòng)電容器
- 8.2.3 應(yīng)用曲線
- 9 電源建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDB|14
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.4 光耦合器反饋信號(hào)輸入和偏置
次級(jí)穩(wěn)壓器電路和光耦合器反饋電路消耗的功率會(huì)直接添加到系統(tǒng)的空載功耗中。為了達(dá)到極低的空載功耗，必須以低電流模式驅(qū)動(dòng)光耦合器。
如Figure 31 中所示，VCC 電壓產(chǎn)生恒定電流源 IFB，并連接到 FB 引腳。電阻 RFB 也會(huì)與 PMOS 串聯(lián)連接到此電流源。在正常運(yùn)行期間，PMOS 始終打開。PMOS 限制 FBreplica 上的最大電壓。
Equation 3. 
由該方程式可知，當(dāng) Iopto 增加時(shí)，IRFB 將會(huì)減小，從而使得 FBreplica 變小。在該方法中，控制力度呈反比。該電路也將光耦合器最大電流限制為 IFB。傳統(tǒng)的光耦合器偏置方法是在光耦合器輸出集電極上使用上拉電阻器。為了降低功耗，上拉電阻器需足夠大，這將會(huì)限制環(huán)路帶寬。對(duì)于 UCC256304 中使用的偏置電流方法，光耦合器電流受到限制，且不存在環(huán)路帶寬問題。