ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側(cè)電流檢測放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機(jī)控制輸入選項
- 7.3.8 自舉電容器初始充電
- 7.3.9 在不同初始條件下啟動電機(jī)
- 7.3.10 電機(jī)啟動順序 (MSS)
- 7.3.11 閉環(huán)運(yùn)行
- 7.3.12 每安培最大扭矩 (MTPA) 控制
- 7.3.13 弱磁控制
- 7.3.14 電機(jī)參數(shù)
- 7.3.15 電機(jī)參數(shù)提取工具 (MPET)
- 7.3.16 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.17 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 7.3.18 主動制動
- 7.3.19 死區(qū)時間補(bǔ)償
- 7.3.20 電壓檢測調(diào)節(jié)
- 7.3.21 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項
- 7.3.22 FG 配置
- 7.3.23 直流總線電流限值
- 7.3.24
保護(hù)功能
- 7.3.24.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.24.2 AVDD 上電復(fù)位 (AVDD_POR)
- 7.3.24.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.24.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.24.5 MOSFET VDS 過流保護(hù) (VDS_OCP)
- 7.3.24.6 VSENSE 過流保護(hù) (SEN_OCP)
- 7.3.24.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.24.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.10 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.24.11 電機(jī)鎖定檢測
- 7.3.24.12 MPET 故障
- 7.3.24.13 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
7.3.21.1 滑行（高阻態(tài)）模式
可以通過將 MTR_STOP 設(shè)置為 000b 來配置滑行（高阻態(tài)）模式。接收到電機(jī)停止命令后，MCF8329A 關(guān)斷所有外部 MOSFET，從而在相位電機(jī)端子處生成高阻態(tài)。當(dāng) MCF8329A 從驅(qū)動電機(jī)轉(zhuǎn)換到高阻態(tài)時，電機(jī)繞組中的電感電流繼續(xù)流動，能量通過 MOSFET 輸出級中的體二極管返回到電源中（請參閱示例圖 7-40）
圖 7-40 滑行（高阻態(tài)）模式在該示例中，電流通過高側(cè) A 相 MOSFET (HSA)、高側(cè) B 相 MOSFET (HSB)施加到電機(jī)，并通過低側(cè) C 相 MOSFET (LSC) 返回。接收到電機(jī)停止命令后，全部 6 個 MOSFET 都會轉(zhuǎn)換為高阻態(tài)，電感能量通過 MOSFET LSA、LSB 和 HSC 的體二極管返回到電源中。