ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
使用建議容值為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 PVDD 引腳旁路至 GND (PGND) 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 PVDD 引腳的位置，并通過較寬的引線或通過接地平面連接到 PGND 引腳。此外，使用額定電壓為 PVDD 的大容量電容器旁路 PVDD 引腳。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10μF。
需要額外的大容量電容來旁路掉外部 MOSFET 上的大電流路徑。放置此大容量電容時應(yīng)做到盡可能縮短通過外部 MOSFET 的大電流路徑的長度。連接金屬跡線應(yīng)盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法盡可能地減小了電感并使大容量電容器提供高電流。
在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。該電容器應(yīng)為 470nF，額定電壓為 PVDD，類型為 X5R 或 X7R。
自舉電容器 (BSTx-SHx) 應(yīng)靠近器件引腳放置，盡可能地減小柵極驅(qū)動路徑的環(huán)路電感。
使用容值為 1μF、額定電壓為 6.3V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 AVDD 引腳旁路至 AGND 引腳。將此電容器放置在盡可能靠近引腳的位置，并盡量縮短從電容器到 AGND 引腳的路徑。
使用容值為 1μF、額定電壓 ≥ 4V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置，并盡量縮短從電容器到 GND 引腳的路徑。
使用類型為 X5R 或 X7R、ESR 足夠低的陶瓷電容器旁路 VREG 引腳。
最大限度地縮短高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器的回路長度。高側(cè)環(huán)路是從器件的 GHx 引腳到高側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著高側(cè) MOSFET 源極返回到 SHx 引腳。低側(cè)環(huán)路是從器件的 GLx 引腳到低側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著低側(cè) MOSFET 源極返回到 PGND 引腳。
在設(shè)計功率更高的系統(tǒng)時，PCB 布局中的物理特性會產(chǎn)生寄生電感、電容和阻抗，從而影響系統(tǒng)的性能。了解功率較高的電機驅(qū)動系統(tǒng)中存在的寄生參數(shù)可以幫助設(shè)計人員通過良好的 PCB 布局來減輕其影響。有關(guān)詳細信息，請訪問大功率電機驅(qū)動器應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計注意事項和電機驅(qū)動器電路板布局布線最佳實踐應(yīng)用手冊。
柵極驅(qū)動器引線（BSTx、GHx、SHx、GLx、LSS）的寬度應(yīng)至少為 15-20mil，并且到 MOSFET 柵極的距離應(yīng)盡可能短，盡可能地減小寄生電感和阻抗。這有助于提供較大的柵極驅(qū)動電流，有效地使 MOSFET 導(dǎo)通，并改善 VGS 和 VDS 監(jiān)控。確保選擇用于監(jiān)控從 LSS 到 GND 的低側(cè)電流的分流電阻器較寬，盡可能地減小在低側(cè)源極 LSS 處引入的電感。
確保接地端通過網(wǎng)絡(luò)連接或?qū)掚娮杵鬟B接，減小電壓偏移并保持柵極驅(qū)動器性能。器件散熱焊盤應(yīng)焊接到 PCB 頂層地平面。應(yīng)使用多個過孔連接到較大的底層接地平面。使用大金屬平面和多個過孔有助于散發(fā)器件中產(chǎn)生的熱量。為了提高熱性能，請在 PCB 的所有可能層上盡可能地增大連接到散熱焊盤接地端的接地面積。使用較厚的覆銅可以降低結(jié)至空氣熱阻并改善芯片表面的散熱。