ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側(cè)電流檢測放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機控制輸入選項
- 7.3.8 自舉電容器初始充電
- 7.3.9 在不同初始條件下啟動電機
- 7.3.10 電機啟動順序 (MSS)
- 7.3.11 閉環(huán)運行
- 7.3.12 每安培最大扭矩 (MTPA) 控制
- 7.3.13 弱磁控制
- 7.3.14 電機參數(shù)
- 7.3.15 電機參數(shù)提取工具 (MPET)
- 7.3.16 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.17 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 7.3.18 主動制動
- 7.3.19 死區(qū)時間補償
- 7.3.20 電壓檢測調(diào)節(jié)
- 7.3.21 電機停止運轉(zhuǎn)選項
- 7.3.22 FG 配置
- 7.3.23 直流總線電流限值
- 7.3.24
保護功能
- 7.3.24.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.24.2 AVDD 上電復(fù)位 (AVDD_POR)
- 7.3.24.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.24.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.24.5 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 7.3.24.6 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 7.3.24.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.24.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.10 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.24.11 電機鎖定檢測
- 7.3.24.12 MPET 故障
- 7.3.24.13 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
5 引腳配置和功能
圖 5-1 MCF8329A 36 引腳 VQFN（帶有外露散熱焊盤）頂視圖表 5-1 引腳功能
| 引腳 | 36 引腳封裝 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | MCF8329A1I | |||
| AGND | 25 | GND | 器件模擬接地 | |
| AVDD | 26 | PWR | 3.3V 穩(wěn)壓器輸出。在 AVDD 和 AGND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、6.3V 陶瓷電容器。該穩(wěn)壓器可以提供高達 50mA 的外部電流（如果 AVDD 短接至 VREG）。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| BRAKE | 34 | I | 高電平 → 制動電機 低電平 → 正常運行 如果未使用，則通過 10k? 電阻器連接到 GND |
|
| BSTA | 9 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTA 和 SHA 之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、25V 的陶瓷電容器。 | |
| BSTB | 13 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTB 和 SHB 之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、25V 的陶瓷電容器。 | |
| BSTC | 17 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTC 和 SHC 之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、25V 的陶瓷電容器。 | |
| CPH | 7 | PWR | 電荷泵開關(guān)節(jié)點。在 CPH 引腳和 CPL 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| CPL | 6 | PWR | ||
| DACOUT/SOx/SPEED_ANA | 33 | I/O | 通用引腳?？膳渲脼?DAC 輸出、電流檢測放大器輸出或模擬基準(zhǔn)輸入。 | |
| DGND | 1 | GND | 器件數(shù)字接地 | |
| DIR | 31 | I | 電機旋轉(zhuǎn)方向； 當(dāng)為低電平時，相位驅(qū)動序列為 OUT A → OUT C → OUT B 當(dāng)為高電平時，相位驅(qū)動序列為 OUT A → OUT B → OUT C 如果未使用，則通過 10k? 電阻器連接到 GND |
|
| DRVOFF | 24 | I | 獨立驅(qū)動器關(guān)斷路徑。通過將柵極驅(qū)動器置于下拉狀態(tài)，將 DRVOFF 拉高可關(guān)斷所有外部 MOSFET。該信號繞過并覆蓋數(shù)字和控制內(nèi)核。 | |
| DVDD | 36 | PWR | 1.5V 內(nèi)部穩(wěn)壓器輸出。在 DVDD 和 DGND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、6.3V 陶瓷電容器。 | |
| EXT_CLK | 32 | I | 外部時鐘基準(zhǔn)模式下的外部時鐘基準(zhǔn)輸入。 | |
| FG | 28 | O | 電機速度指示器輸出。開漏輸出需要一個連接到 1.8 至 5V 電壓的外部上拉電阻器。即使不使用引腳功能，也需要連接外部上拉電阻器。 | |
| GCTRL | 3 | O | 外部 MOSFET 的柵極控制用作穩(wěn)壓器，通過 VREG 引腳為數(shù)字子系統(tǒng)提供電流。該功能有助于降低器件內(nèi)部的功耗。 | |
| GHA | 11 | O | 高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極 | |
| GHB | 15 | O | 高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極 | |
| GHC | 19 | O | 高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極 | |
| GLA | 12 | O | 低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極 | |
| GLB | 16 | O | 低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極 | |
| GLC | 20 | O | 低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極 | |
| GND | 4 | GND | 器件電源接地 | |
| GVDD | 8 | PWR | 柵極驅(qū)動器電源輸出。在 GVDD 和 GND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、額定電壓為 30V、容值 ≥ 10uF 的陶瓷局部電容器。TI 建議使用 >10x CBSTx 的電容值和至少兩倍于引腳正常工作電壓的額定電壓。 | |
| LSS | 21 | PWR | 低側(cè)源極引腳，連接此處外部低側(cè) MOSFET 的所有源極。該引腳是低側(cè)柵極驅(qū)動器的灌電流路徑，并用作監(jiān)測低側(cè) MOSFET VDS 電壓和 VSEN_OCP 電壓的輸入。 | |
| nFAULT | 35 | O | 故障指示器。該引腳在故障條件下被拉至邏輯低電平。開漏輸出需要一個連接到 1.8 至 5V 電壓的外部上拉電阻器。即使不使用引腳功能，也需要連接外部上拉電阻器。 | |
| PVDD | 5 | PWR | 柵極驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、0.1μF、額定電壓 >2x PVDD、容值 >10uF 的陶瓷局部電容器。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| SCL | 30 | I | I2C 時鐘輸入 | |
| SDA | 29 | I/O | I2C 數(shù)據(jù)線 | |
| SHA | 10 | I/O | 高側(cè)源極引腳。連接到高側(cè)功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側(cè)柵極驅(qū)動器灌電流的輸出。 | |
| SHB | 14 | I/O | 高側(cè)源極引腳。連接到高側(cè)功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側(cè)柵極驅(qū)動器灌電流的輸出。 | |
| SHC | 18 | I/O | 高側(cè)源極引腳。連接到高側(cè)功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側(cè)柵極驅(qū)動器灌電流的輸出。 | |
| SN | 23 | I | 電流檢測放大器輸入。連接到電流分流電阻的低側(cè)。 | |
| SP | 22 | I | 低側(cè)分流放大器輸入。連接到低側(cè)功率 MOSFET 源極和電流分流電阻器的高側(cè)。 | |
| SPEED/WAKE | 27 | I | 多功能輸入。 器件睡眠/喚醒輸入。 器件控制輸入；支持基于模擬、PWM 或頻率的基準(zhǔn)（速度、功率、電流或調(diào)制指數(shù)）輸入。 |
|
| VREG | 2 | PWR | 內(nèi)部 DVDD LDO 的穩(wěn)壓器輸入電源。連接到 AVDD 或外部 3-5.5V 電壓。在 VREG 和 DGND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、6.3V 陶瓷電容器。 | |
| 散熱焊盤 | - | PWR | 必須接地 | |
(1) I = 輸入，O = 輸出，GND = 接地引腳，PWR = 電源，NC = 無連接