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ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A

PRODUCTION DATA

7.3 特性說(shuō)明

表 7-1 列出了驅(qū)動(dòng)器外部元件的建議值。

表 7-1 MCF8329A 外部元件

元件	引腳 1	引腳 2	推薦
C_PVDD1	PVDD	PGND	X5R 或 X7R、0.1μF、額定電壓大于 2 倍 PVDD 的電容器
C_PVDD2	PVDD	PGND	≥ 10μF、額定電壓大于 2 倍 PVDD 的大容量電容器
C_CP	CPH	CPL	X5R 或 X7R、470nF、PVDD 電容器
C_AVDD	AVDD	AGND	X5R 或 X7R、≥1μF、6.3V 電容器
C_GVDD	GVDD	GND	X5R 或 X7R、≥10uF、額定電壓為 30V 的電容器
C_DVDD	DVDD	GND	X5R 或 X7R、1μF、≥4V。為了讓 DVDD 準(zhǔn)確調(diào)節(jié)輸出電壓，電容器應(yīng)在工作溫度范圍內(nèi)在 1.5V 下具有 0.6μF 至 1.3μF 的有效電容。
C_VREG	VREG	GND	X5R 或 X7R、≥1μF、10V 電容器
C_BSTx	BSTx	SHx	X5R 或 X7R、1μF（典型值）、25V 電容器
R_nFAULT	1.8 至 5V 電源電壓	nFAULT	5.1kΩ 上拉電阻器
R_FG	1.8 至 5V 電源電壓	FG	5.1kΩ 上拉電阻器
R_SDA	1.8 至 5V 電源電壓	SDA	5.1kΩ 上拉電阻器
R_SCL	1.8 至 5V 電源電壓	SCL	5.1kΩ 上拉電阻器
R_BRAKE	BRAKE	GND	如果使用 BRAKE 引腳，則可選的 <10kΩ 電阻器可實(shí)現(xiàn)更好的抗噪性
R_DIR	DIR	GND	如果使用 DIR 引腳，則可選的 <10kΩ 電阻器可實(shí)現(xiàn)更好的抗噪性

注：

要啟用 FG 和 nFAULT 引腳的內(nèi)部上拉電阻（至 AVDD），可以將 PULLUP_ENABLE 配置為 1b。對(duì)此位的任何更改都需要寫入 EEPROM，然后進(jìn)行下電上電才能生效。當(dāng) PULLUP_ENABLE 設(shè)置為 1b 時(shí)，無(wú)需提供外部上拉電阻。
如果使用外部電源并且禁用外部上拉和內(nèi)部上拉電阻，則需要在器件進(jìn)入活動(dòng)狀態(tài)之前將 FG 和 nFAULT 引腳拉至高電平。
DIR 和 BRAKE 引腳各有一個(gè) 100kΩ 的內(nèi)部下拉電阻。使用這些引腳時(shí)，可以在外部額外添加一個(gè) 10kΩ 下拉電阻，以提高抗噪性。
SPEED/WAKE 引腳具有 1MΩ 的內(nèi)部下拉電阻。在模擬速度輸入模式下，可以在外部添加適用 R-C 濾波器以降低噪聲。在 PWM 速度輸入模式下，可以適當(dāng)配置 SPEED_PIN_GLITCH_FILTER 以實(shí)現(xiàn)干擾抑制。