ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側(cè)電流檢測放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機控制輸入選項
- 7.3.8 自舉電容器初始充電
- 7.3.9 在不同初始條件下啟動電機
- 7.3.10 電機啟動順序 (MSS)
- 7.3.11 閉環(huán)運行
- 7.3.12 每安培最大扭矩 (MTPA) 控制
- 7.3.13 弱磁控制
- 7.3.14 電機參數(shù)
- 7.3.15 電機參數(shù)提取工具 (MPET)
- 7.3.16 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.17 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 7.3.18 主動制動
- 7.3.19 死區(qū)時間補償
- 7.3.20 電壓檢測調(diào)節(jié)
- 7.3.21 電機停止運轉(zhuǎn)選項
- 7.3.22 FG 配置
- 7.3.23 直流總線電流限值
- 7.3.24
保護功能
- 7.3.24.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.24.2 AVDD 上電復位 (AVDD_POR)
- 7.3.24.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.24.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.24.5 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 7.3.24.6 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 7.3.24.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.24.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.10 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.24.11 電機鎖定檢測
- 7.3.24.12 MPET 故障
- 7.3.24.13 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應用和實施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
柵極電阻器選型
SHx 連接的壓擺率將取決于外部 MOSFET 柵極的控制速率。MCF8329A 的上拉/下拉強度在內(nèi)部是固定的，因此可以通過外部串聯(lián)柵極電阻器來控制柵極電壓的壓擺率。在部分應用中，MOSFET 的柵極電荷（即柵極驅(qū)動器器件上的負載）明顯大于柵極驅(qū)動器峰值輸出電流能力。在此類應用中，外部柵極電阻器可以限制柵極驅(qū)動器的峰值輸出電流。外部柵極電阻器還用于抑制振鈴和噪聲。
MOSFET 的特定參數(shù)、系統(tǒng)電壓和電路板寄生效應都會影響最終的 SHx 壓擺率，因此選擇外部柵極電阻器的最佳阻值或配置通常是一個迭代過程。
為了降低柵極驅(qū)動電流，串聯(lián)電阻器 RGATE 可以放置在柵極驅(qū)動輸出上，以控制拉電流和灌電流路徑的電流。單個柵極電阻器將為柵極拉電流和灌電流提供相同的柵極路徑，因此較大的 RGATE 值將產(chǎn)生類似的 SHx 壓擺率。請注意，柵極驅(qū)動電流因器件的 PVDD 電壓、結(jié)溫和工藝變化而異。
圖 8-2 具有串聯(lián)電阻器的柵極驅(qū)動器輸出
圖 8-3 具有獨立拉電流路徑和灌電流路徑的柵極驅(qū)動器輸出通常，建議灌電流是拉電流的兩倍，以實現(xiàn)從柵極到源極的強下拉，從而確保 MOSFET 在相反的 FET 開關(guān)時保持關(guān)斷。通過將一個二極管和一個灌電流電阻器 (RSINK) 與拉電流電阻器 (RSOURCE) 并聯(lián)放置，使用一個電阻器為拉電流和灌電流提供單獨的路徑，能夠以分立方式實現(xiàn)這一點。使用阻值相同的拉電流電阻器和灌電流電阻器會使灌電流路徑的等效電阻減半。這樣產(chǎn)生的柵極驅(qū)動灌電流是拉電流的兩倍，并且在關(guān)斷 MOSFET 時 SHx 的壓擺率將提高一倍。