ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅動器
- 7.3.2 柵極驅動架構
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側電流檢測放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機控制輸入選項
- 7.3.8 自舉電容器初始充電
- 7.3.9 在不同初始條件下啟動電機
- 7.3.10 電機啟動順序 (MSS)
- 7.3.11 閉環(huán)運行
- 7.3.12 每安培最大扭矩 (MTPA) 控制
- 7.3.13 弱磁控制
- 7.3.14 電機參數(shù)
- 7.3.15 電機參數(shù)提取工具 (MPET)
- 7.3.16 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.17 輸出 PWM 開關頻率
- 7.3.18 主動制動
- 7.3.19 死區(qū)時間補償
- 7.3.20 電壓檢測調節(jié)
- 7.3.21 電機停止運轉選項
- 7.3.22 FG 配置
- 7.3.23 直流總線電流限值
- 7.3.24
保護功能
- 7.3.24.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.24.2 AVDD 上電復位 (AVDD_POR)
- 7.3.24.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.24.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.24.5 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 7.3.24.6 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 7.3.24.7 熱關斷 (OTSD)
- 7.3.24.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.24.10 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.24.11 電機鎖定檢測
- 7.3.24.12 MPET 故障
- 7.3.24.13 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應用和實施
- 9 電源相關建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
外部功率級元件
設計不需要在功率級中使用外部元件，但外部元件有助于抑制瞬態(tài)、管理電感器線圈能量、減輕電源泵回、抑制相位振鈴或提供強大的柵源下拉路徑。這些元件用于系統(tǒng)調優(yōu)和調試，從而確保 BLDC 電機系統(tǒng)穩(wěn)健，同時避免損壞 MCF8329A 器件或外部 MOSFET。
圖 8-4 可選的外部功率級元件下表列出了一些問題示例和可以解決這些問題的外部元件。
問題 | 分辨率 | 組件 |
|---|---|---|
所需的柵極驅動電流太大，從而導致 MOSFET VDS 壓擺率非?？?/p> | 需要使用串聯(lián)電阻器來實現(xiàn)柵極驅動電流可調節(jié)性 | 柵極驅動器輸出端 (GHx/GLx) 處的 0-100Ω 串聯(lián)電阻器 (RGATE/RSOURCE)、可選灌電流電阻器 (RSINK) 以及與柵極電阻器并聯(lián)的二極管，以實現(xiàn)可調節(jié)灌電流 |
相位開關節(jié)點 (SHx) 處發(fā)生振鈴，從而導致很高的 EMI 發(fā)射 | 與每個 HS/LS MOSFET 并聯(lián)放置 RC 緩沖器，以抑制振蕩 | 與 MOSFET 并聯(lián)放置的電阻器 (RSNUB) 和電容器 (CSNUB)，使用適用于電機驅動器的 RC 緩沖器設計根據振鈴頻率計算 RC 值 |
低側源極 (LSS) 的負瞬態(tài)低于最小規(guī)格 | 在 HS 漏極和 LS 源極之間連接一個電容器，以抑制負反彈 | 來自 PVDD-LSS (CHSD_LSS) 的 0.01uF-1uF PVDD 等級電容器，放置在 LS MOSFET 的源極附近 |
低側柵極 (GLx) 的負瞬態(tài)低于最小規(guī)格 | 使用柵極和地之間的齊納二極管來鉗制負電壓 | GVDD 電壓額定齊納二極管 (DGS)，陽極連接到 GND，陰極連接到 GLx |
如果柵極驅動信號為高阻態(tài)，則需要額外的保護以確保 MOSFET 關閉 | 使用外部柵源下拉電阻器（在串聯(lián)柵極電阻器之后） | 在每個 MOSFET 的柵極和源極之間連接 10kΩ 至 100kΩ 電阻器 (RPD) |