ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說(shuō)明
- 6.3.1 輸出級(jí)
- 6.3.2 器件接口
- 6.3.3 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 6.3.4 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 6.3.5 電荷泵
- 6.3.6 壓擺率控制
- 6.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
- 6.3.8 電機(jī)控制輸入源
- 6.3.9 在不同初始條件下啟動(dòng)電機(jī)
- 6.3.10 電機(jī)啟動(dòng)順序 (MSS)
- 6.3.11 電機(jī)啟動(dòng)
- 6.3.12 閉環(huán)運(yùn)行
- 6.3.13 電機(jī)參數(shù)
- 6.3.14 電機(jī)參數(shù)提取工具 (MPET)
- 6.3.15 防電壓浪涌 (AVS)
- 6.3.16 主動(dòng)制動(dòng)
- 6.3.17 輸出 PWM 開(kāi)關(guān)頻率
- 6.3.18 PWM 調(diào)制方案
- 6.3.19 死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償
- 6.3.20 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 6.3.21 FG 配置
- 6.3.22 直流母線電流限制
- 6.3.23
保護(hù)功能
- 6.3.23.1 VM 電源欠壓鎖定
- 6.3.23.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 6.3.23.3 降壓欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 6.3.23.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 6.3.23.5 過(guò)壓保護(hù) (OVP)
- 6.3.23.6 過(guò)流保護(hù) (OCP)
- 6.3.23.7 降壓過(guò)流保護(hù)
- 6.3.23.8 硬件鎖定檢測(cè)電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 6.3.23.9 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 6.3.23.10 電機(jī)鎖定檢測(cè)
- 6.3.23.11 最小 VM（欠壓）保護(hù)
- 6.3.23.12 最大 VM（過(guò)壓）保護(hù)
- 6.3.23.13 MPET 故障
- 6.3.23.14 IPD 故障
- 6.3.23.15 熱警告 (OTW)
- 6.3.23.16 熱關(guān)斷（TSD）
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 外部接口
- 6.6 EEPROM 訪問(wèn)和 I2C 接口
- 7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 8 RAM（易失性）寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
該器件受到全面保護(hù)，可防止 MOSFET 發(fā)生任何跨導(dǎo) - 在高側(cè)和低側(cè) MOSFET 切換期間，MCF8315C-Q1 通過(guò)插入死區(qū)時(shí)間 (tdead) 來(lái)避免擊穿事件。這是通過(guò)檢測(cè)高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側(cè) MOSFET 的 VGS 已降至低于關(guān)斷電平，然后再導(dǎo)通同一半橋的低側(cè) MOSFET（反之亦然）來(lái)實(shí)現(xiàn)的，如圖 6-12 和圖 6-13 所示。圖 6-13 中顯示的高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的 VGS（VGS_HS 和 VGS_LS）是內(nèi)部信號(hào)。
圖 6-12 跨導(dǎo)保護(hù)
圖 6-13 死區(qū)時(shí)間