ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
由于輸出級使用 N 溝道 FET,因此該器件需要高于 VM 電源的柵極驅(qū)動電壓才能導(dǎo)通高側(cè) FET。MCF8315C-Q1 集成了一個電荷泵電路,可為此目的生成高于 VM 電源的電壓。
電荷泵需要兩個外部電容器(CCP、CFLY)才能運(yùn)行。有關(guān)這些電容器的詳細(xì)信息(值、連接等),請參閱圖 6-1、圖 6-2 和節(jié) 4。