ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輸出級
- 6.3.2 器件接口
- 6.3.3 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 6.3.4 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 6.3.5 電荷泵
- 6.3.6 壓擺率控制
- 6.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時間）
- 6.3.8 電機控制輸入源
- 6.3.9 在不同初始條件下啟動電機
- 6.3.10 電機啟動順序 (MSS)
- 6.3.11 電機啟動
- 6.3.12 閉環(huán)運行
- 6.3.13 電機參數(shù)
- 6.3.14 電機參數(shù)提取工具 (MPET)
- 6.3.15 防電壓浪涌 (AVS)
- 6.3.16 主動制動
- 6.3.17 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 6.3.18 PWM 調(diào)制方案
- 6.3.19 死區(qū)時間補償
- 6.3.20 電機停止運轉(zhuǎn)選項
- 6.3.21 FG 配置
- 6.3.22 直流母線電流限制
- 6.3.23
保護功能
- 6.3.23.1 VM 電源欠壓鎖定
- 6.3.23.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 6.3.23.3 降壓欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 6.3.23.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 6.3.23.5 過壓保護 (OVP)
- 6.3.23.6 過流保護 (OCP)
- 6.3.23.7 降壓過流保護
- 6.3.23.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 6.3.23.9 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 6.3.23.10 電機鎖定檢測
- 6.3.23.11 最小 VM（欠壓）保護
- 6.3.23.12 最大 VM（過壓）保護
- 6.3.23.13 MPET 故障
- 6.3.23.14 IPD 故障
- 6.3.23.15 熱警告 (OTW)
- 6.3.23.16 熱關(guān)斷（TSD）
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 外部接口
- 6.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 8 RAM（易失性）寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.3.11.3.2 IPD 釋放模式
對于在達到 IPD 電流閾值時 MCF8315C-Q1 如何停止驅(qū)動 FET，有兩種模式可進行配置。如果 IPD_RLS_MODE = 0b，則選擇再循環(huán)（或制動）模式。在此配置中，低側(cè) (LSC) MOSFET 保持導(dǎo)通狀態(tài)，以使電流在 MOSFET (LSC) 和體二極管 (LSA) 之間再循環(huán)（請參閱圖 6-27）。如果 IPD_RLS_MODE = 1b，則選擇高阻態(tài)模式。在高阻態(tài)模式下，高側(cè) (HSA) 和低側(cè) (LSC) MOSFET 均關(guān)斷，電流通過體二極管再循環(huán)回到電源中（請參閱圖 6-28）。
在高阻態(tài)模式下，相電流的穩(wěn)定時間較短，但這可能導(dǎo)致 VM 上的電壓增加。要解決該問題，用戶必須適當(dāng)選擇鉗位電路，或在 VM 和 PGND 之間提供足夠的電容來吸收能量。如果無法抑制電壓浪涌，或電壓浪涌對于應(yīng)用而言不可接受，則必須使用再循環(huán)模式。使用再循環(huán)模式時，請相應(yīng)地選擇 IPD_CLK_FREQ，以便在應(yīng)用下一個 IPD 相位模式之前，為電機繞組中的電流提供足夠的時間以衰減至 0A。
圖 6-27 IPD 釋放模式 - 制動 (0b)
圖 6-28 IPD 釋放模式 - 三態(tài) (1b)