ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
MCF8315C-Q1 包含以三相橋配置連接的集成式 240mΩ/250mΩ(組合式高側(cè)和低側(cè) FET 的導(dǎo)通狀態(tài)電阻)NMOS FET。電荷泵加倍器可在寬工作電壓范圍內(nèi)為高側(cè) NMOS FET 提供適合的柵極偏置電壓,此外還提供 100% 占空比支持。內(nèi)部線性穩(wěn)壓器為低側(cè) MOSFET 提供柵極偏置電壓。