ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
輸出 FET 電阻 (RDS(on)) 中耗散的功率在 MCF8315C-Q1 的功率耗散中占主導(dǎo)地位。
在啟動(dòng)和故障條件下，F(xiàn)ET 電流遠(yuǎn)大于正常運(yùn)行 FET 電流；務(wù)必將這些峰值電流及其持續(xù)時(shí)間考慮在內(nèi)。
器件總功率損耗是在三個(gè)半橋的每個(gè)半橋上耗散的功率以及待機(jī)功率、LDO 和降壓穩(wěn)壓器損耗相加的結(jié)果。
器件可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。
請(qǐng)注意，RDS(on) 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發(fā)熱，功率耗散也會(huì)增大。在確定散熱器尺寸時(shí)，請(qǐng)考慮這一點(diǎn)。
用于計(jì)算每個(gè)損耗的公式摘要如表 9-3 所示。
損耗類型 | MCF8315C-Q1 |
|---|---|
待機(jī)功耗 | Pstandby = VM x IVM_TA |
LDO | PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD（如果 BUCK_PS_DIS = 1b） PLDO = (VBK-VAVDD) x IAVDD（如果 BUCK_PS_DIS = 0b） |
FET 導(dǎo)通 | PCON = 3 x (IRMS(FOC))2 x Rds,on(TA) |
FET 開關(guān) | PSW = 3 x IPK(FOC) x VPK(FOC) x trise/fall x fPWM |
Diode | Pdiode = 3 x IPK(FOC) x Vdiode x tdead x fPWM |
降壓 | PBK = 0.11 x VBK x IBK (ηBK = 90%) |