ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
在半橋橋臂中高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的開關(guān)瞬間之間插入了死區(qū)時間,以避免發(fā)生擊穿情況。由于存在死區(qū)時間插入,相節(jié)點上的預期電壓與施加的電壓會因相電流方向而異。相節(jié)點電壓失真會在相電流中引入不必要的失真,進而導致可聞噪聲。MCF8315C-Q1 集成了專有的死區(qū)時間補償技術(shù),以消除這種相電流失真并大大降低可聞噪聲,從而顯著提高 MCF8315C-Q1 中 FOC 的聲學性能。可以通過配置 DEADTIME_COMP_EN 來啟用或禁用此死區(qū)時間補償。即使 DEADTIME_COMP_EN 設(shè)置為 1b(啟用補償),也會在電機電氣頻率超過 135Hz 時禁用死區(qū)時間補償,而在電機電氣頻率降至低于 127Hz 時重新啟用死區(qū)時間補償。