ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
GaN FET 的開關速度比 MOSFET 快得多，因此開關期間（導通和關斷）的轉換時間更短。這可以降低開關損耗，從而進一步減少轉換器中產生的熱量。
相比之下，由于開關時間更長，MOSFET 更慢并在轉換期間會產生更多熱量，這在高頻條件下尤其明顯。