ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
由于效率更高且損耗更低,在類似應(yīng)用中,GaN FET 的結(jié)溫 (Tj) 通常低于 MOSFET 的結(jié)溫。這可以顯著延長(zhǎng)元件的使用壽命并增強(qiáng)可靠性,尤其是在戶外設(shè)備等熱受限環(huán)境中。