ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
GaN FET 可實(shí)現(xiàn)更小巧、更緊湊的設(shè)計(jì)和更高的功率密度。由于效率更高且熱性能更好,使用 GaN 的轉(zhuǎn)換器可以在更高的功率級(jí)別下運(yùn)行,同時(shí)確保熱條件始終可控。
由于散熱要求較高,基于 MOSFET 的轉(zhuǎn)換器需要更大,或需要更復(fù)雜的散熱系統(tǒng)才能處理相同的功率級(jí)別。