ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
在給定的擊穿電壓和裸片尺寸下,GaN FET 具有更低的傳導(dǎo)損耗,因?yàn)槠?RDS(on) 明顯比硅 MOSFET 更低。這是因?yàn)?GaN 具有出色的材料特性。電流流過(guò)器件時(shí),這會(huì)導(dǎo)致功耗降低,從而減少整體發(fā)熱。這一點(diǎn)在高開(kāi)關(guān)頻率下尤其明顯,高開(kāi)關(guān)頻率在 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中很常見(jiàn)。
MOSFET 也很高效但傳導(dǎo)損耗較大,因?yàn)槠?RDS(on) 隨溫度和電壓增大的速度更快。