ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
GaN 材料(氮化鎵)導(dǎo)熱率比硅(用于 MOSFET)更高,能夠更高效地散熱。這有助于保持更低的工作溫度并可能減少對散熱解決方案的需求。
相比之下,MOSFET 的熱導(dǎo)率較低,這意味著散熱效率較低且熱性能較差。