ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
2.3 寄生電容減小
GaN FET 通常具有較低的寄生電容，這意味著在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間對這些電容進行充電和放電會產(chǎn)生較少的能量損耗。這會降低電源轉(zhuǎn)換器的總熱負荷（效率更高）。
MOSFET 具有更高的寄生電容，這會導致更高的開關(guān)損耗，因而產(chǎn)生更多熱量。
LLC 諧振控制器使我們能夠?qū)崿F(xiàn)零電壓開關(guān)，而 ZVS 的原理是在漏源電壓 (VDS) 為零時導通開關(guān)元件。根據(jù)這一知識，我們可以假設(shè)在 LLC 功率級轉(zhuǎn)換期間 (VDS = 0V)，寄生電容 CGS 和 CGD 可視為零。那么，總輸入電容 CISS (CGS + CGD) 視為零。
→在使用 ZVS 的拓撲中，影響開關(guān)性能的寄生電容則是總輸出電容 COSS。
方程式 1.
方程式 2.
圖 2-1 GaN FET 寄生模型在以高頻開關(guān)運行的 ZVS 拓撲中，使用具有較低且穩(wěn)定的 COSS 值的開關(guān)元件實現(xiàn)高效率至關(guān)重要。圖 2-2 和圖 2-3 中的示例展示了在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間 COSS 如何隨 VDS 變化，以及典型 650V MOSFET 和 GaN FET 上 COSS 值的差異。
圖 2-2 650V MOSFET 230m?（典型值）
圖 2-3 650V GaN FET 270mΩ（典型值）