ZHCSTG6B July 2023 – April 2025 TPS25984
PRODUCTION DATA
對(duì)于所有應(yīng)用，TI 建議在 IN 引腳和 GND 引腳之間使用 0.1μF 或更大的陶瓷去耦電容器。
對(duì)于所有應(yīng)用，德州儀器 (TI) 建議在 OUT 端子和 GND 端子之間使用 2.2μF 或更大的陶瓷去耦電容器。
去耦電容器的最佳放置位置是緊靠器件的 IN 引腳和 GND 引腳的位置。請(qǐng)務(wù)必注意，盡量減小旁路電容器連接和 IC 的 IN 引腳及 GND 引腳所構(gòu)成的環(huán)路區(qū)域。如需 PCB 布局示例，請(qǐng)參閱下面的圖。
高載流電源路徑連接必須盡可能短，并且其大小必須能夠承載至少兩倍的滿載電流。
必須在 IC 的引腳處將 GND 引腳連接至 PCB 接地平面。PCB 接地必須是電路板上的一個(gè)銅層或銅島。
IN 和 OUT 引腳用于散熱。通過散熱過孔連接至盡可能多的銅區(qū)域。
RILIM
RIMON
RIREF
CdVdT
CITIMER
CIN
COUT
CVDD
用于 EN/UVLO 引腳的電阻器
采用最短的走線將元件另一端連接至器件的 GND 引腳。CIN、COUT、CVDD、RIREF、RILIM、RIMON、CITIMER 和 CdVdt 元件到器件的跟蹤布線必須盡可能短，以減少對(duì)電流限制、過流消隱間隔和軟啟動(dòng)時(shí)序的寄生效應(yīng)。這些走線不得與電路板中的開關(guān)信號(hào)發(fā)生耦合。
由于 IMON、ILIM 和 IREF 引腳直接控制器件的過流保護(hù)行為，因此這些節(jié)點(diǎn)的 PCB 布線必須遠(yuǎn)離任何噪聲（開關(guān)）信號(hào)。
TI 建議將 SWEN 引腳上的寄生負(fù)載保持在最低水平，以避免出現(xiàn)同步問題。
必須將保護(hù)器件（如 TVS、緩沖器、電容器或二極管）放置在緊靠其要保護(hù)的器件的物理位置。必須使用短跡線為這些保護(hù)器件布線以減少電感。例如，TI 建議使用保護(hù)肖特基二極管來解決由于電感負(fù)載切換而導(dǎo)致的負(fù)瞬變，并且它必須位于靠近 OUT 引腳的物理位置。