ZHCSPU9B February 2024 – October 2025 TCAN1576-Q1
PRODUCTION DATA
圖 10-43 展示了 INT_3，表 10-45 中對(duì)此進(jìn)行了介紹。
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所有中斷都適用于 TCAN1576-Q1。選擇性喚醒中斷適用于 TCAN157x-Q1。
當(dāng)用于修整的內(nèi)部 EEPROM 存在 CRC 錯(cuò)誤時(shí)，便會(huì)設(shè)置 CRC_EEPROM 中斷。上電時(shí)，器件會(huì)從 EEPROM 加載內(nèi)部寄存器并執(zhí)行 CRC 校驗(yàn)。如果在八次嘗試加載有效數(shù)據(jù)后出現(xiàn)錯(cuò)誤，則會(huì)設(shè)置 CRC_EEPROM 中斷。此中斷指示可能影響器件性能的錯(cuò)誤。當(dāng)器件因喚醒事件而退出睡眠模式或失效防護(hù)模式時(shí)，會(huì)重復(fù)此流程。器件將對(duì)從 EEPROM 加載的內(nèi)部寄存器執(zhí)行 CRC 校驗(yàn)。如果存在錯(cuò)誤，器件將從 EEPROM 重新加載寄存器。如果存在 CRC 錯(cuò)誤，器件將嘗試加載內(nèi)部寄存器最多八次。在第八次嘗試后，將設(shè)置 CRC_EEPROM 中斷標(biāo)志。這將指示可能影響器件性能的錯(cuò)誤。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| SPIERR | SWERR | FSM | RSVD | CRC_EEPROM | |||
| R/W1C-0b | RH-0b | R/W1C-0b | R-0000b | R/W1C-0b | |||
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | SPIERR | R/W1C | 0b | 設(shè)置 SPI 狀態(tài)位時(shí)設(shè)置 |
| 6 | SWERR | RH | 0b | （SW_EN=1 和 NOT(SWCFG)）和 FRAME_OVF 的邏輯或。設(shè)置 SWERR 時(shí)，可能無法啟用選擇性喚醒 |
| 5 | FSM | R/W1C | 0b | 已進(jìn)入失效防護(hù)模式。在失效防護(hù)模式下清除。 |
| 4-1 | RSVD | R | 0000b | 保留 |
| 0 | CRC_EEPROM | R/W1C | 0b | EEPROM CRC 錯(cuò)誤 |