ZHCSXN2 December 2024 MCF8315D
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說(shuō)明
- 6.3.1 輸出級(jí)
- 6.3.2 器件接口
- 6.3.3 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 6.3.4 AVDD 線(xiàn)性穩(wěn)壓器
- 6.3.5 電荷泵
- 6.3.6 壓擺率控制
- 6.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
- 6.3.8 電機(jī)控制輸入源
- 6.3.9 在不同初始條件下啟動(dòng)電機(jī)
- 6.3.10 電機(jī)啟動(dòng)順序 (MSS)
- 6.3.11 閉環(huán)運(yùn)行
- 6.3.12 弱磁控制
- 6.3.13 電機(jī)參數(shù)
- 6.3.14 電機(jī)參數(shù)提取工具 (MPET)
- 6.3.15 防電壓浪涌 (AVS)
- 6.3.16 主動(dòng)制動(dòng)
- 6.3.17 輸出 PWM 開(kāi)關(guān)頻率
- 6.3.18 PWM 抖動(dòng)
- 6.3.19 PWM 調(diào)制方案
- 6.3.20 死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償
- 6.3.21 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 6.3.22 對(duì)齊制動(dòng)
- 6.3.23 FG 配置
- 6.3.24
保護(hù)功能
- 6.3.24.1 VM 電源欠壓鎖定
- 6.3.24.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 6.3.24.3 降壓欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 6.3.24.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 6.3.24.5 過(guò)壓保護(hù) (OVP)
- 6.3.24.6 過(guò)流保護(hù) (OCP)
- 6.3.24.7 降壓過(guò)流保護(hù)
- 6.3.24.8 硬件鎖定檢測(cè)電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 6.3.24.9 鎖定檢測(cè)電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 6.3.24.10 電機(jī)鎖定檢測(cè)
- 6.3.24.11 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 6.3.24.12 EEPROM 故障
- 6.3.24.13 I2C CRC 故障
- 6.3.24.14 最小 VM（欠壓）保護(hù)
- 6.3.24.15 最大 VM（過(guò)壓）保護(hù)
- 6.3.24.16 MPET 故障
- 6.3.24.17 IPD 故障
- 6.3.24.18 FET 熱警告 (OTW)
- 6.3.24.19 FET 熱關(guān)斷 (TSD_FET)
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 外部接口
- 6.6 EEPROM 訪(fǎng)問(wèn)和 I2C 接口
- 7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 8 RAM（易失性）寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|24
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|24
訂購(gòu)信息
6.3.6 壓擺率控制
為輸出級(jí) MOSFET 提供可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)電流控制，以實(shí)現(xiàn)可配置的壓擺率，從而降低 EMI。MOSFET VDS 壓擺率是優(yōu)化傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射、二極管恢復(fù)尖峰的總能量和持續(xù)時(shí)間以及與 PCB 寄生元件相關(guān)的開(kāi)關(guān)電壓瞬態(tài)的關(guān)鍵因素。此壓擺率主要由內(nèi)部 MOSFET 柵極電流的控制決定，如圖 6-5 所示。
圖 6-11 壓擺率電路實(shí)現(xiàn)每個(gè)半橋的壓擺率可通過(guò) SLEW_RATE 進(jìn)行調(diào)節(jié)。壓擺率可配置為 125V/μs 或 200V/μs。壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時(shí)間和下降時(shí)間計(jì)算得出，如圖 6-12 所示。
圖 6-12 壓擺率時(shí)序