注：
- 只有當(dāng)器件處于空閑或故障狀態(tài)（電機(jī)不由器件驅(qū)動(dòng)）時(shí)，才應(yīng)發(fā)出 EEPROM 寫入。在整個(gè) EEPROM 寫入過程中，VM 應(yīng)該 ≥ 6V，以確保所有電源軌（AVDD、FB_BK 和 DVDD）保持在數(shù)據(jù)表規(guī)格范圍內(nèi)，并且 EEPROM 寫入不會(huì)因任何 UVLO 條件而中斷。
- 由于 EEPROM 寫入次數(shù)存在老化/寫入周期限制（TJ = 85oC 時(shí)為 20000 個(gè)寫入周期），TI 不建議在每次上電/喚醒期間對(duì) EEPROM 進(jìn)行寫入。重復(fù)的寄存器設(shè)置更改可在影子/RAM 寄存器 (0x000080-0x0000AE) 上完成；只有默認(rèn)配置需要寫入 EEPROM（首次上電時(shí)）
在 MCF8315D 中，EEPROM 寫入過程如下所示。
- 將 ISD 和反向驅(qū)動(dòng)配置（例如啟用重新同步、啟用反向驅(qū)動(dòng)、靜止檢測閾值、反向驅(qū)動(dòng)切換閾值等）寫入寄存器 0x000080 (ISD_CONFIG)。
- 將反向驅(qū)動(dòng)和主動(dòng)制動(dòng)配置（例如反向驅(qū)動(dòng)開環(huán)加速、主動(dòng)制動(dòng)電流限值、Kp、Ki 值等）寫入寄存器 0x000082 (REV_DRIVE_CONFIG)。
- 將電機(jī)啟動(dòng)配置（例如啟動(dòng)方法、IPD 參數(shù)、對(duì)齊參數(shù)等）寫入寄存器 0x000084 (MOTOR_STARTUP1)。
- 將電機(jī)啟動(dòng)配置（例如開環(huán)加速、開環(huán)電流限值、首循環(huán)頻率等）寫入寄存器 0x000086 (MOTOR_STARTUP2)。
- 將電機(jī)控制配置（例如閉環(huán)加速、啟用過調(diào)制、PWM 頻率、FG 信號(hào)參數(shù)等）寫入寄存器 0x000088 (CLOSED_LOOP1)。
- 將電機(jī)控制配置（例如電機(jī)繞組電阻和電感、電機(jī)停止選項(xiàng)、制動(dòng)速度閾值等）寫入寄存器 0x00008A (CLOSED_LOOP2)。
- 將電機(jī)控制配置（例如電機(jī) BEMF 常數(shù)、電流環(huán)路 Kp、Ki 等）寫入寄存器 0x00008C (CLOSED_LOOP3)。
- 將電機(jī)控制配置（例如速度環(huán)路 Kp、Ki 和最大速度等）寫入寄存器 0x00008E (CLOSED_LOOP4)。
- 將故障控制配置軟件和硬件電流限值、鎖定電流限值和操作、重試次數(shù)等寫入寄存器 0x000090 (FAULT_CONFIG1)。
- 將故障控制配置（例如硬件電流限值操作、OV、UV 限值和操作、異常速度水平、無電機(jī)閾值等）寫入寄存器 0x000092 (FAULT_CONFIG2)。
- 將速度曲線配置（例如曲線類型、占空比、速度鉗制水平、占空比鉗制水平等）寫入寄存器 0x000094 – 0x00009E (SPEED_PROFILES1-6)。
- 將雜項(xiàng)配置（例如 ISD 運(yùn)行時(shí)間和超時(shí)、MPET 參數(shù)等）寫入寄存器 0x0000A0 (INT_ALGO_1)。
- 將雜項(xiàng)配置（例如附加 MPET 參數(shù)、啟用 IPD 高分辨率、主動(dòng)制動(dòng)電流壓擺率、閉環(huán)慢加速等）寫入寄存器 0x0000A2 (INT_ALGO_2)。
- 將用于速度輸入模式（模擬或 PWM）、BRAKE 引腳模式等的引腳配置寫入寄存器 0x0000A4 (PIN_CONFIG1)。
- 將器件配置（例如 DAC/SOX、I2C 目標(biāo)地址、啟用動(dòng)態(tài) CSA 增益、啟用動(dòng)態(tài)電壓增益、時(shí)鐘源選擇、速度范圍選擇等）寫入寄存器 0x0000A6 和 0x0000A8（DEVICE_CONFIG1 和 DEVICE_CONFIG2）。
- 將外設(shè)配置（例如死區(qū)時(shí)間、總線電流限值、DIR 輸入、啟用 SSM 等）寫入寄存器 0x0000AA (PERI_CONFIG1)。
- 將柵極驅(qū)動(dòng)器配置（例如壓擺率、CSA 增益、OCP 電平、模式、啟用 OVP、電平、降壓電壓電平、降壓電流限值等）寫入寄存器 0x0000AC 和 0x0000AE（GD_CONFIG1 和 GD_CONFIG2）。
- 將 0x8A500000 寫入寄存器 0x0000EA，以將影子/RAM 寄存器 (0x000080-0x0000AE) 值寫入 EEPROM。
- 等待 750ms 以便 EEPROM 寫入操作完成。
- 750ms 后，讀取 0x0000EA 寄存器，以確保其已復(fù)位為 0x0。這樣可確認(rèn) EEPROM 寫入過程已成功完成。
可以根據(jù)需要修改的寄存器/參數(shù)選擇性地執(zhí)行步驟 1-17。在所有影子/RAM 寄存器都更新為所需的值后，應(yīng)執(zhí)行步驟 18-20 將影子/RAM 寄存器的內(nèi)容寫入 EEPROM 中。