4 引腳配置和功能

BQ25692-Q1 BQ25692-Q1RBA 封裝26 引腳 WQFN（帶可濕性側(cè)面）頂視圖

圖 4-1 BQ25692-Q1RBA 封裝26 引腳 WQFN（帶可濕性側(cè)面）頂視圖

表 4-1 引腳功能

引腳		類型⁽¹⁾	說明
名稱	編號(hào)	類型⁽¹⁾	說明
ACN	4	AI	適配器電流檢測(cè)電阻，負(fù)輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACN 引腳和 GND 之間放置一個(gè)可選的 0.1μF 陶瓷電容器，以實(shí)現(xiàn)共模濾波。
ACP	5	AI	適配器電流檢測(cè)電阻，正輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACP 引腳和 GND 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，以實(shí)現(xiàn)共模濾波。
BTST1	1	P	降壓高側(cè)功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 – 在 BTST1 和 SW1 之間連接一個(gè) 47nF 陶瓷電容器，用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)降壓 MOSFET (Q1)。REGN 和 BTST1 之間的自舉二極管為集成式二極管。
BTST2	20	P	升壓高側(cè)功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 – 在 BTST2 和 SW2 之間連接一個(gè) 47nF 陶瓷電容器，用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)增壓 MOSFET (Q4)。REGN 和 BTST2 之間的自舉二極管為集成式二極管。
BYPDRV	3	P	旁路 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器 – 直接連接到背對(duì)背外部旁路 FET 柵極。當(dāng) EN_BYPASS = 1 且 EN_EXT_BYPASS = 1 時(shí)，引腳以相對(duì)于 SRN 5V 的電壓驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，以導(dǎo)通外部旁路 FET。將 15V 齊納二極管從 BYPDRV 連接到外部旁路 FET 的共源。如果不使用外部旁路，可使該引腳其保持懸空狀態(tài)。
CE	9	DI	低電平有效充電使能引腳 – 當(dāng) EN_CHG 位為 1 且 CE 引腳為低電平時(shí)，會(huì)啟用電池充電。必須將 CE 引腳拉至高電平或低電平，不要保持懸空。
電芯	13	AI	電池節(jié)數(shù)計(jì)數(shù)程序 – 上電時(shí)，充電器檢測(cè)連接到 CELL 引腳的電阻，以確定默認(rèn)的電池節(jié)數(shù)計(jì)數(shù)并設(shè)置相應(yīng)的充電電壓。建議使用容差為 ±1% 或 ±2% 的表面貼裝電阻器。
GND	10	P	接地回路
GND	23	P	接地回路
ICHG	15	AI	充電電流程序 – 上電時(shí)，充電器檢測(cè)連接到 ICHG 引腳的電阻，以確定默認(rèn)的電池充電電流。建議使用容差為 ±1% 或 ±2% 的表面貼裝電阻器。
ILIM_HIZ	7	AI	輸入電流限制設(shè)置 – ILIM_HIZ 引腳設(shè)置最大輸入電流，可用于監(jiān)測(cè)輸入電流，并可拉至高電平以強(qiáng)制器件進(jìn)入高阻態(tài)模式。連接到 GND 的編程電阻用于將輸入電流限制設(shè)置為 I_{IN_MAX} = K_ILIM / R_ILIM。當(dāng)器件處于輸入電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，ILIM_HIZ 引腳上的電壓為 1V。當(dāng) ILIM 引腳電壓 (V_ILIM) 小于 1V 時(shí)，實(shí)際輸入電流可按下式計(jì)算：IIN = K_ILIM x V_ILIM/(R_ILIM x 1V).實(shí)際輸入電流限制是 ILIM_HIZ 引腳或 IINDPM 寄存器位設(shè)置的限制中的較低者。當(dāng) EN_EXTILIM 位為 0 時(shí)，可以禁用該引腳功能。如果不使用 ILIM_HIZ 引腳，則將該引腳拉至 GND，不要懸空。
INT	8	DO	開漏中斷輸出 – 通過 10kΩ 電阻器將 INT 引腳連接到邏輯軌。INT 引腳向主機(jī)發(fā)送一個(gè)低電平有效的 256μs 脈沖，以報(bào)告充電器器件狀態(tài)和故障。
NC	19	-	未使用 – 該引腳應(yīng)該保持懸空。
REGN	2	P	充電器內(nèi)部線性穩(wěn)壓器輸出 – 在 REGN 與接地之間連接一個(gè) 4.7μF 陶瓷電容器。REGN LDO 輸出用于 TS 引腳電阻分壓器的內(nèi)部 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電壓偏置。
SCL	11	DI	I2C 接口時(shí)鐘 – 通過 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。
SDA	12	DIO	I2C 接口數(shù)據(jù) – 通過 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。
SRN	17	AI	充電電流檢測(cè)電阻，負(fù)輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRN 引腳和 GND 之間放置一個(gè)可選的 0.1μF 陶瓷電容器，以實(shí)現(xiàn)共模濾波。
SRP	18	AI	充電電流檢測(cè)電阻，正輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRP 引腳和 GND 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，以實(shí)現(xiàn)共模濾波
STAT	6	DO	開漏狀態(tài)輸出 – 通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。低電平表示正在充電。高電平表示充電完成或充電被禁用。當(dāng)發(fā)生任何故障情況時(shí)，STAT 引腳以 1Hz 的頻率閃爍。當(dāng) DIS_STAT_PIN 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 STAT 引腳功能。
SW1	24	P	降壓側(cè)半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn) – 電感器連接到 Q1 和 Q2 開關(guān)的中點(diǎn)。
SW2	22	P	升壓側(cè)半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn) – 電感器連接到 Q3 和 Q4 開關(guān)的中點(diǎn)。
SYS	21	P	連接到系統(tǒng)的充電器輸出電壓 – 內(nèi)部 N 溝道高側(cè) MOSFET (Q4) 的漏極連接到 SYS，源極連接到 SW2。這是開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出，應(yīng)使用盡可能靠近引腳的陶瓷電容器進(jìn)行去耦。建議結(jié)合使用 0.1uF 和更高的電容值，在 SYS 與 GND 之間實(shí)現(xiàn)低阻抗連接。
散熱焊盤	26	–	IC 下方的外露焊盤 – 始終將散熱焊盤焊接到電路板上并通過多個(gè)過孔連接到 GND 和電源接地平面。外露焊盤用于散熱。
TS	16	AI	溫度鑒定電壓輸入 – 連接負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。使用從 REGN 到 TS 再到 GND 的電阻分壓器對(duì)溫度窗口進(jìn)行編程。當(dāng) TS 引腳電壓超出范圍時(shí)，充電暫停。建議使用 103AT-2 10kΩ 熱敏電阻。
VCHG	14	AI	充電電壓程充 – 上電時(shí)，充電器檢測(cè)連接到 VCHG 引腳的電阻，以確定默認(rèn)電池充電電壓。建議使用容差為 ±1% 或 ±2% 的表面貼裝電阻器。
VIN	25	P	充電器輸入電壓 – 內(nèi)部 N 溝道高側(cè) MOSFET (Q1) 的漏極連接到 VIN，源極連接到 SW1。這是開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸入，應(yīng)使用盡可能靠近引腳的陶瓷電容器進(jìn)行去耦。建議結(jié)合使用 0.1uF 和更高的電容值，在 VIN 與 GND 之間實(shí)現(xiàn)低阻抗連接。

(1) AI = 模擬輸入、AIO = 模擬輸入/輸出、DI = 數(shù)字輸入、DO = 數(shù)字輸出、DIO = 數(shù)字輸入/輸出、P = 電源