該器件使用 CELL、ICHG 和 VCHG 引腳提供獨立的充電曲線編程。在啟動時讀取這些引腳上的電阻，該值用于確定器件的默認(rèn)充電電壓（CELL 和 VREG 寄存器）以及充電電流（ICHG 寄存器）。一旦器件使用 ILIM_HIZ 引腳退出 HIZ 模式，CELL、ICHG 和 VCHG 引腳值就會更新，從而允許通過切換 ILIM_HIZ 引腳來更新獨立的充電器設(shè)置。

引腳檢測狀態(tài)寄存器位 (VCHG_PIN、CELL_PIN、ICHG_PIN) 存儲引腳檢測的結(jié)果。

ICHG 引腳設(shè)置以 10mΩ 檢測電阻器為基準(zhǔn)。使用 5mΩ 檢測電阻以提高效率。使用 R_{BAT_SNS} 寄存器位將檢測電阻值更改為 5mΩ。將 R_{BAT_SNS} 寄存器位設(shè)置為 1 可調(diào)節(jié)內(nèi)部值，以便在使用 5mΩ 檢測電阻時提供相同的編程 ICHG。

CELL 引腳和 VCHG 引腳結(jié)果相結(jié)合，用于對 VREG 寄存器上的充電電壓進行編程。例如，如果 CELL 引腳和 VCHG 引腳電阻器都是 14kΩ，則產(chǎn)生的 VREG 電壓為：4.2V/節(jié) × 5 節(jié) = 21V。

CELL 檢測值存儲在寄存器映射中的 CELL_PIN 處，ICHG 檢測值存儲在 ICHG_PIN 的寄存器映射中，VCHG 檢測值存儲在 VCHG_PIN 寄存器的寄存器映射中。檢測之后，ICHG 和 VREG 寄存器中的值會更新，檢測到的值成為上限鉗位。例如，如果 ICHG 引腳電阻器設(shè)置為 1.0A，則會忽略對 ICHG 寄存器的 I²C 寫入請求 >1.0A。要覆蓋鉗位，必須首先將 ICHG_PIN_OVERRIDE 寄存器寫入 1，然后 ICHG 寄存器可以使用完整的值范圍。要求與 VREG 類似：要寫入比引腳檢測結(jié)果更高的值，必須向 VCHG_PIN_OVERRIDE 寄存器寫入 1，然后才能更新 VREG 寄存器。即使 VCHG_PIN_OVERRIDE=1，VREG 仍根據(jù) CELL_PIN 進行鉗制（基于下表）：

要在 POR 后更改 CELL 數(shù)和/或增加充電電壓 (VREG)，建議采用以下序列：

1. 禁用充電 (EN_CHG = 0)
2. 設(shè)置 CELL_PIN_OVERRIDE = 1
3. 將 CELL_PIN 寄存器更改為適當(dāng)?shù)闹担詫崿F(xiàn)所需的電池數(shù)
   1. 請注意，VREG 寄存器會根據(jù) CELL_PIN 選擇自動更新
4. 設(shè)置 VCHG_PIN_OVERRIDE = 1
5. 將 VREG 更改為適當(dāng)?shù)闹?ol class="ol" id="OL_E5R_H3K_HCC" type="a">
6. 請注意，在 VCHG_PIN_OVERRIDE=1 時，VREG 仍根據(jù) CELL_PIN 選擇進行鉗制

例如，若 POR 檢測結(jié)果為 5 節(jié)串聯(lián)（CELL 電阻 = 14kΩ），每節(jié)充電電壓 4.0V（VCHG 電阻 = 8.25kΩ），并且需要更改為 4 節(jié)串聯(lián)，每節(jié)充電電壓 4.2V，則下表展示了對應(yīng)的命令序列：

如果在三個引腳中的任一個上檢測到故障，器件不會自動啟動充電周期（器件會將 EN_CHG 清零）。使用 CELL_PIN_OVERRIDE、VCHG_PIN_OVERRIDE 或 ICHG_PIN_OVERRIDE 位覆蓋引腳檢測狀態(tài)，以恢復(fù)故障。需要主機將所需的充電曲線寄存器編程為適當(dāng)?shù)闹?。最后，?EN_CHG 位重新設(shè)置為 1。檢測到引腳故障后，轉(zhuǎn)換器保持關(guān)閉狀態(tài)。

例如，以下是通過序列操作從 CELL 引腳故障中恢復(fù)，以實現(xiàn) 5 節(jié)電池充電的步驟：

1. 將 CELL_PIN_OVERRIDE 位設(shè)置為 1
2. 將 CELL_PIN 寄存器設(shè)置為 5
3. 將 VREG 設(shè)置為充電電壓（對于 4.2V 充電電壓，使用 VREG = 21V）
4. 設(shè)置 EN_CHG = 1