該器件支持反向旁路模式，允許 VIN = VSYS（無需調(diào)節(jié)）并實(shí)現(xiàn)出色效率。在反向旁路運(yùn)行模式下，降壓和升壓高側(cè) FET（Q1 和 Q4）均導(dǎo)通，而降壓和升壓低側(cè) FET（Q2 和 Q3）保持關(guān)斷。電池功率直接通過功率級(jí)傳遞到輸入。MOSFET 的開關(guān)損耗和電感器磁芯損耗被消除，從而提供出色效率。通過將 EN_REV 和 EN_BYPASS 寄存器位設(shè)置為 1 啟用反向旁路模式。

當(dāng)器件處于反向旁路模式時(shí)，流過 R_{AC_SNS} 的電流受到監(jiān)測(cè)并與 IIN_REV 寄存器設(shè)置進(jìn)行比較。如果輸入電流超過 I_{REV_BYP_OCP}（比 IIN_REV 設(shè)置高 15%）且持續(xù)時(shí)間達(dá)到 t_{BYP_OCP}，則器件自動(dòng)退出旁路模式并返回到 PWM 調(diào)節(jié)模式（開關(guān)功率級(jí)已啟用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機(jī)表明 BYPASS_MASK 是否被清除。

為避免浪涌電流誤啟動(dòng)旁路過流保護(hù)，TI 建議在 VIN 處于 VSYS 的 0.5V 以內(nèi)時(shí)進(jìn)入旁路模式。典型用例是先確保 EN_BAT_DETECT = 0，然后啟用反向模式 (EN_REV = 1)，然后更改 VIN_REV 設(shè)置以實(shí)現(xiàn) VIN ~ VSYS 條件，然后設(shè)置 EN_BYPASS = 1。

圖 6-9 內(nèi)部反向旁路模式

除了內(nèi)部反向旁路模式，該器件還提供外部反向旁路模式，可實(shí)現(xiàn)最高效率且電流高達(dá) 5A。在這種情況下，BYPDRV 引腳驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背 MOSFET，以便將 VIN 直接連接到 SYS?？梢酝ㄟ^設(shè)置 EN_REV = EN_EXT_BYPASS = EN_BYPASS = 1 來啟用外部反向旁路模式。

當(dāng)器件處于外部反向旁路模式時(shí)，流經(jīng) R_{AC_SNS} 的電流受到監(jiān)測(cè)。如果 R_{AC_SNS} 電流超過 I_{REV_EXTBYP_OCP} 且持續(xù)時(shí)間達(dá)到 t_{BYP_OCP}，器件自動(dòng)退出外部反向旁路模式并返回到 PWM 調(diào)節(jié)模式（開關(guān)功率級(jí)已啟用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機(jī)表明 BYPASS_MASK 是否被清除。請(qǐng)注意 EN_EXT_BYPASS 位不變。

為避免浪涌電流誤啟動(dòng)旁路過流保護(hù)，TI 建議在 VIN 處于 VSYS 的 0.5V 以內(nèi)時(shí)進(jìn)入反向旁路模式。典型用例是先確保 EN_BAT_DETECT = 0，然后啟用反向模式 (EN_REV = 1)，然后更改 VIN_REV 設(shè)置以實(shí)現(xiàn) VIN ~ VSYS 條件，然后設(shè)置 EN_EXT_BYPASS = EN_BYPASS = 1。

輕負(fù)載旁路自動(dòng)退出功能可防止在反向旁路模式期間出現(xiàn)反向電流方向流動(dòng)。充電器進(jìn)行監(jiān)測(cè)直到輸入電流降至 I_{REV_BYP_LL} 以下，此時(shí)它會(huì)自動(dòng)退出旁路模式并返回 PWM 調(diào)節(jié)模式。在內(nèi)部和外部旁路模式期間，該保護(hù)功能均處于活動(dòng)狀態(tài)，但可以通過設(shè)置 EN_BYPASS_LL_EXIT = 0 來禁用。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機(jī)表明 BYPASS_MASK 是否被清除。

圖 6-10 外部反向旁路模式