ZHCSZ16 October 2025 BQ25692-Q1
ADVANCE INFORMATION
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3 特性說明
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 寄存器映射
- 7 應用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RBA|26
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
6.3.8.3 旁路模式
該器件支持旁路模式，允許 VSYS = VIN（無需調(diào)節(jié)）并實現(xiàn)出色效率。在該運行模式下，降壓和升壓高側(cè) FET（Q1 和 Q4）均導通，而降壓和升壓低側(cè) FET（Q2 和 Q3）保持關(guān)斷。輸入功率直接通過功率級傳遞到輸出。MOSFET 的開關(guān)損耗和電感器磁芯損耗被消除，從而提供出色效率。通過將 EN_BYPASS 寄存器位設(shè)置為 1 啟用旁路模式。
USB-PD 可編程電源 (PPS) 用作輸入適配器時，也可以利用旁路模式在電池快速充電周期中實現(xiàn)電池閃充。通過啟用閃充，可以使用更大的充電電流進一步提高充電效率。在預充電和恒壓 (CV) 充電階段，充電器可以返回降壓/升壓模式。
當器件處于旁路模式時，流過 RAC_SNS 的電流受到監(jiān)測并與 IINDPM 寄存器設(shè)置進行比較。如果輸入電流超過 IBYP_OCP（比 IINDPM 設(shè)置高 15%）且持續(xù)時間達到 tBYP_OCP，則器件自動退出旁路模式并返回到 PWM 調(diào)節(jié)模式（開關(guān)功率級已啟用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機表明 BYPASS_MASK 是否被清除。
為避免浪涌電流誤啟動旁路過流保護，TI 建議在 VSYS 處于 VIN 的 0.5V 以內(nèi)時進入旁路模式。
圖 6-7 內(nèi)部旁路模式除了內(nèi)部旁路模式，該器件還提供外部旁路模式，可實現(xiàn)最高效率且電流高達 5A。在這種情況下，BYPDRV 引腳驅(qū)動外部背對背 MOSFET，以便將 VIN 直接連接到 SYS?？梢酝ㄟ^設(shè)置 EN_EXT_BYPASS = 1 以及 EN_BYPASS = 1 來啟用外部旁路模式。如果在 EN_BYPASS = 0 時 EN_EXT_BYPASS = 1，則不會進入旁路模式。在器件通過 EN_BYPASS 進入旁路模式之前或之后設(shè)置 EN_EXT_BYPASS。
當器件處于外部旁路模式時，流經(jīng) RAC_SNS 的電流受到監(jiān)測。如果 RAC_SNS 電流超過 IEXTBYP_OCP 且持續(xù)時間達到 tBYP_OCP，器件自動退出外部旁路模式并返回到 PWM 調(diào)節(jié)模式（開關(guān)功率級已啟用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機表明 BYPASS_MASK 是否被清除。請注意 EN_EXT_BYPASS 位不變。
充電器處于旁路模式時為防止在移除輸入源后發(fā)生反向升壓，提供了輕負載旁路自動退出功能。充電器進行監(jiān)測直到輸入電流降至 IBYP_LL 以下，此時它會自動退出旁路模式并返回 PWM 調(diào)節(jié)模式。在內(nèi)部和外部旁路模式下，該保護功能均處于活動狀態(tài)活。通過設(shè)置 EN_BYPASS_LL_EXIT = 0 禁用該保護功能。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機表明 BYPASS_MASK 是否被清除。
圖 6-8 外部旁路模式