ZHCUB80C August 2004 – July 2023 PGA309
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- 使用前必讀
- 1引言
- 2詳細說明
- 3工作模式
- 4數(shù)字接口
- 5應用背景
-
6寄存器說明
- 6.1 內(nèi)部寄存器概覽
- 6.2
內(nèi)部寄存器映射
- 6.2.1 寄存器 0：溫度 ADC 輸出寄存器（只讀，地址指針 = 00000）
- 6.2.2 寄存器 1：精細失調(diào)電壓調(diào)整（零 DAC）寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00001）
- 6.2.3 寄存器 2：精細增益調(diào)整（增益 DAC）寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00010）
- 6.2.4 寄存器 3：基準控制和線性化寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00011）
- 6.2.5 寄存器 4：PGA 粗略失調(diào)電壓調(diào)整和增益選擇/輸出放大器增益選擇寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00100）
- 6.2.6 寄存器 5：PGA 配置和過量程/欠量程限制寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00101）
- 6.2.7 寄存器 6：溫度 ADC 控制寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00110）
- 6.2.8 寄存器 7：輸出使能計數(shù)器控制寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00111）
- 6.2.9 寄存器 8：警報狀態(tài)寄存器（只讀，地址指針 = 01000）
- A 外部 EEPROM 示例
- B 詳細方框圖
- C 術(shù)語表
- 修訂歷史記錄
2.2 失調(diào)電壓調(diào)節(jié)
為獲得最大動態(tài)范圍，可在前端 PGA 增益之前實現(xiàn)粗略失調(diào)電壓調(diào)整。許多橋式傳感器的初始失調(diào)電壓與其最大量程輸出相當。粗略失調(diào)電壓調(diào)整可以是正值或負值。它以 4 位 DAC + 符號實現(xiàn)，包含 14 個正選項、14 個負選項以及零。
正值范圍和負值范圍內(nèi)的分辨率均為 VREF/1200。對于 +5V 基準，這相當于 4.2mV 階躍。圖 2-4 所示為 PGA309，其增益設(shè)置適用于節(jié) 2.1（增益調(diào)節(jié)）中詳述的示例橋式傳感器應用。
對于 ?34mV (VINP – VINN) 的初始橋式傳感器失調(diào)電壓，電橋初始差分失調(diào)電壓加共模電壓轉(zhuǎn)換為差分加共模電壓源模型如圖 2-4 所示。從概念上講，它分為兩個 17mV 失調(diào)電壓，其極性如圖所示。如果粗略失調(diào)電壓調(diào)整設(shè)置為 +34mV 失調(diào)電壓 (VINP – VINN)，則會精確消除初始電橋失調(diào)電壓。未被粗略失調(diào)電壓調(diào)整消除的任何殘留初始電橋失調(diào)電壓將由前端 PGA 增益增大，在使用零 DAC 設(shè)置精細失調(diào)電壓調(diào)整時，需要考慮該失調(diào)電壓。
粗略失調(diào)電壓調(diào)整由寄存器 4 位 (4:0) 進行設(shè)置，其中位 4 在“1”時確定粗略失調(diào)電壓極性為負，在“0”時確定為正。粗略失調(diào)電壓調(diào)整的內(nèi)部架構(gòu)會為 ?7(VREF)(0.85e?3) 和 +7(VREF)(0.85e–3) 產(chǎn)生重復的數(shù)字代碼。請參閱節(jié) 6.2.5（寄存器 4），了解粗略失調(diào)電壓調(diào)整設(shè)置的完整映射。
精細失調(diào)電壓調(diào)整由零 DAC 進行設(shè)置。零 DAC 設(shè)置由增益 DAC 和輸出放大器增益獲取，并以輸出為基準 (RTO)。零 DAC 是單極 16 位 DAC，其基準為 PGA309 的 VREF 設(shè)置。對于 VREF = +5V 的情況，可以確保零 DAC 在 2%VREF 至 98%VREF 范圍內(nèi)呈線性（對于 VREF < +5V 的情況，零 DAC 范圍的上限可以擴展到 VREF）。零 DAC 模擬范圍為 0.1V ≤ 零 DAC 模擬范圍 ≤ (VSA ? 0.1V)。零 DAC 編程范圍為 0V ≤ 零 DAC 編程范圍 ≤ VREF。數(shù)據(jù)格式為 16 位無符號格式。寄存器 1 位 (15:0) 用于零 DAC 設(shè)置。