ZHCUB80C August 2004 – July 2023 PGA309
- 1
- 使用前必讀
- 1引言
- 2詳細(xì)說(shuō)明
- 3工作模式
- 4數(shù)字接口
- 5應(yīng)用背景
-
6寄存器說(shuō)明
- 6.1 內(nèi)部寄存器概覽
- 6.2
內(nèi)部寄存器映射
- 6.2.1 寄存器 0：溫度 ADC 輸出寄存器（只讀，地址指針 = 00000）
- 6.2.2 寄存器 1：精細(xì)失調(diào)電壓調(diào)整（零 DAC）寄存器（讀取/寫(xiě)入，地址指針 = 00001）
- 6.2.3 寄存器 2：精細(xì)增益調(diào)整（增益 DAC）寄存器（讀取/寫(xiě)入，地址指針 = 00010）
- 6.2.4 寄存器 3：基準(zhǔn)控制和線性化寄存器（讀取/寫(xiě)入，地址指針 = 00011）
- 6.2.5 寄存器 4：PGA 粗略失調(diào)電壓調(diào)整和增益選擇/輸出放大器增益選擇寄存器（讀取/寫(xiě)入，地址指針 = 00100）
- 6.2.6 寄存器 5：PGA 配置和過(guò)量程/欠量程限制寄存器（讀取/寫(xiě)入，地址指針 = 00101）
- 6.2.7 寄存器 6：溫度 ADC 控制寄存器（讀取/寫(xiě)入，地址指針 = 00110）
- 6.2.8 寄存器 7：輸出使能計(jì)數(shù)器控制寄存器（讀取/寫(xiě)入，地址指針 = 00111）
- 6.2.9 寄存器 8：警報(bào)狀態(tài)寄存器（只讀，地址指針 = 01000）
- A 外部 EEPROM 示例
- B 詳細(xì)方框圖
- C 術(shù)語(yǔ)表
- 修訂歷史記錄
4.6 兩線制訪問(wèn)外部 EEPROM
圖 4-10 顯示了當(dāng) PGA309 通過(guò)單線制接口（PRG 引腳）接收命令時(shí)，PGA309 接口到外部 EEPROM 的讀取和寫(xiě)入時(shí)序。對(duì)外部 EEPROM 進(jìn)行直接兩線制訪問(wèn)時(shí)，所有制造商讀取和寫(xiě)入模式均被允許。請(qǐng)注意，PGA309 通過(guò) PGA309 兩線制接口對(duì)外部 EEPROM 進(jìn)行單線制訪問(wèn)時(shí)，支持完整 10 位 EEPROM 尋址模式。PGA309 配置寄存器和 17 個(gè)查找表系數(shù)至少需要 1k 位的 EEPROM。可以使用更大的 EEPROM 來(lái)存儲(chǔ)其他配置信息，例如序列號(hào)、日期代碼、批次代碼等。此外，請(qǐng)注意 PGA309 SCL 和 SDA 引腳具有用于 VSD 的小型內(nèi)部上拉電流源（每個(gè)引腳上的典型值為 85μA）。對(duì)于大多數(shù)僅將外部 EEPROM 靠近同一印刷電路板 (PCB) 上的 PGA309 放置的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，此配置綽綽有余。其他向 SDA 和 SCL 線路添加負(fù)載和電容的應(yīng)用可能需要額外的外部上拉電阻連接到 VSD，以確保始終滿(mǎn)足上升時(shí)序要求。在 EEPROM 寫(xiě)入周期結(jié)束時(shí)，有一個(gè)典型的 5ms EEPROM 寫(xiě)入周期，在此期間，數(shù)據(jù)以非易失性方式存儲(chǔ)在 EEPROM 內(nèi)部。在此期間，如果嘗試兩線制直接訪問(wèn)，EEPROM 將不會(huì)進(jìn)行確認(rèn)。如果通過(guò) PGA309 單線制接口與外部 EEPROM 進(jìn)行通信，則該 EEPROM 寫(xiě)入周期時(shí)間便是“不允許通信”的時(shí)間段。
圖 4-10 兩線制訪問(wèn)外部 EEPROM 的時(shí)序